TI TS2PCIE412：四通道PCI Express开关
需积分: 0 114 浏览量
更新于2024-06-27
4
收藏 1.58MB PDF 举报
"TI-TS2PCIE412.pdf 是一款由德州仪器（TI）生产的四通道8:16多路复用器/解复用器PCI Express（PCIe）开关芯片的资料文档。该器件适用于PCIe标准，设计用于高速数据传输应用，如PCIe总线的复用和扩展，以及PCIe数据和/或DisplayPort信号的路由。"
TI的TS2PCIE412是一款高性能的集成电路，主要特性包括：
1. **兼容性**：与PCI Express（PCIe）标准兼容，这意味着它可以无缝集成到PCIe总线系统中，支持最新的PCIe协议。
2. **高带宽**：提供超过3Gbps的带宽，这使得它能够在高数据速率下处理大量信息，满足高速数据传输的需求。
3. **低交叉干扰**（Crosstalk）：在1.25GHz时典型值为-32dB，表明信号间的干扰极小，确保了信号的纯净度和传输的准确性。
4. **出色的输入输出回波损耗（OIRR）**：在1.25GHz时，OIRR典型值为-36.3dB，确保了信号在经过开关时的衰减最小。
5. **低位间 skew**（tsk(O)）：位间延迟差仅为0.06ns，这意味着信号在同一时刻到达多个接收端的概率极高，提高了系统的同步性能。
6. **电源电压范围**：工作电压范围在1.5V至2V之间，提供了灵活性，可以根据系统需求进行调整。
7. **Ioff 支持**：支持部分电源关闭模式操作，有利于节能和系统待机状态下的功耗管理。
8. **抗闩锁性能**：按照JESD78 Class II标准，其抗闩锁性能超越100mA，确保了设备在恶劣环境下的稳定性。
9. **静电放电（ESD）保护**：通过了JESD22标准测试，包括2000V人体模型（A114-B, Class II）和1000V充电设备模型（C101），增强了对静电冲击的防护能力。
10. **封装信息**：采用RU封装，具体引脚排列和功能如文档所示，包括接地（GND）、电源（VDD）、选择输入（SEL）等。
这款开关芯片主要应用于需要多路复用和解复用PCIe总线信号的场合，例如在主板设计中扩展PCIe插槽，或者在数据和显示信号路由中实现灵活的连接方案。由于其高速性能和低延迟特性，它特别适合于高性能计算、数据中心、服务器以及高端图形处理等对速度和效率要求极高的领域。
TS2PCIE412
SCDS269C –MARCH 2009–REVISED APRIL 2010
www.ti.com
ELECTRICAL CHARACTERISTICS FOR 1.8-V SUPPLY
(1)
V
DD
= 1.5 V to 2.0 V, T
A
= –40°C to 85°C (unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP
(2)
MAX UNIT
V
IK
SEL V
DD
= 2.0 V, I
IN
= –18 mA –0.7 –1.3 V
I
IH
SEL V
DD
= 2.0 V, V
IN
= V
DD
±1 mA
I
IL
SEL V
DD
=2.0 V, V
IN
= GND ±1 mA
I
off
V
DD
= 0, V
O
= 0 to 2 V, V
I
= 0 1 mA
I
CC
V
DD
= 2.0 V, I
I/O
= 0, Switch ON or OFF 200 400 mA
C
IN
SEL f = 10 MHz, V
IN
= 0 V 1 pF
C
OFF
B port V
I
= 0 V, f = 10 MHz, Outputs open, Switch OFF 1.5 1.5 pF
C
ON
V
I
= 0 V, f = 10 MHz, Outputs open, Switch ON 4.5 4.5 pF
r
ON
V
DD
= 1.8 V, GND ≤ V
I
≤ V
DD
, I
O
= –40 mA 12 18 Ω
r
ON(flat)
V
DD
= 1.8 V, V
I
= 1.65 to 1.8 V, I
O
= –40 mA 0.5 Ω
(3)
Δr
ON
(4)
V
DD
= 1.8 V, GND ≤ V
I
≤ V
DD
, I
O
= –40 mA 0.2 0.8 Ω
Dynamic
R
L
= 100 Ω, f = 10 MHz –81
X
TALK
See Figure 9 dB
R
L
= 100 Ω, f = 1.25 GHz –32
R
L
= 100 Ω, f = 10 MHz –74
O
IRR
See Figure 10 dB
R
L
= 100 Ω, f = 1.25 GHz –36
BW R
L
= 50 Ω, See Figure 8 2.1 GHz
Max data rate R
L
= 50 Ω, See Figure 8 4.2 Gbps
(1) V
I
, V
O
, I
I
, and I
O
refer to I/O pins. V
IN
refers to the control inputs.
(2) All typical values are at V
DD
= 1.8 V (unless otherwise noted), T
A
= 25°C.
(3) r
ON(flat)
is the difference of r
ON
in a given channel at specific voltages.
(4) Δr
ON
is the difference of ron from center ports to any other port.
SWITCHING CHARACTERISTICS
over recommended operating free-air temperature range, V
DD
= 1.5 V to 2.0 V, R
L
= 200 Ω, C
L
= 10 pF
(unless otherwise noted)
FROM TO
PARAMETER MIN TYP
(1)
MAX UNIT
(INPUT) (OUTPUT)
t
pd
(2) (3)
A
n
or
n
B
n n
B
n
or A
n
0.28 ns
t
PZH
, t
PZL
SEL A
n
or
n
B
n
7.8 9 ns
t
PHZ
, t
PLZ
SEL A
n
or
n
B
n
2.5 4 ns
t
sk(O)
(4)
A
n
or
n
B
n n
B
n
or A
n
0.06 0.1 ns
t
sk(p)
(5) (6)
0.06 0.1 ns
(1) All typical values are at V
DD
= 1.8 V (unless otherwise noted) T
A
= 25°C.
(2) The propagation delay is the calculated RC time constant of the typical ON-state resistance of the switch and the specified load
capacitance when driven by an ideal voltage source (zero output impedance).
(3) See Figure 6
(4) Output skew between center port to any other port
(5) Skew between opposite transitions of the same output in a given device t
PHL
– t
PLH
(6) See Figure 7
4 Submit Documentation Feedback Copyright © 2009–2010, Texas Instruments Incorporated
Product Folder Link(s): TS2PCIE412
剩余19页未读，继续阅读
2022-12-01 上传
2023-05-26 上传
2023-05-26 上传
2023-05-26 上传
2023-11-11 上传
2023-05-26 上传
2023-05-26 上传
2023-07-13 上传
2023-09-06 上传
不觉明了
- 粉丝: 3519
- 资源: 5759
我的内容管理
展开
最新资源
- 磁性吸附笔筒设计创新，行业文档精选
- Java Swing实现的俄罗斯方块游戏代码分享
- 骨折生长的二维与三维模型比较分析
- 水彩花卉与羽毛无缝背景矢量素材
- 设计一种高效的袋料分离装置
- 探索4.20图包.zip的奥秘
- RabbitMQ 3.7.x延时消息交换插件安装与操作指南
- 解决NLTK下载停用词失败的问题
- 多系统平台的并行处理技术研究
- Jekyll项目实战：网页设计作业的入门练习
- discord.js v13按钮分页包实现教程与应用
- SpringBoot与Uniapp结合开发短视频APP实战教程
- Tensorflow学习笔记深度解析：人工智能实践指南
- 无服务器部署管理器：防止错误部署AWS帐户
- 医疗图标矢量素材合集：扁平风格16图标(PNG/EPS/PSD)
- 人工智能基础课程汇报PPT模板下载
