2SK2731T146-VB:SOT23封装N-Channel MOSFET技术参数与应用
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更新于2024-08-03
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"2SK2731T146-VB是一款由VB Semiconductor制造的SOT23封装的N-Channel场效应MOS管。这款MOSFET具有低电阻、高效率和环保特性,适用于DC/DC转换器等应用。"
2SK2731T146-VB是一款N沟道沟槽型(TrenchFET)MOSFET,设计用于在SOT23这种小型表贴封装中提供高效能。它符合RoHS指令,无卤素,确保了产品的环境友好性。这款MOSFET的主要特点是其低导通电阻(RDS(ON)),在VGS=10V时,RDS(ON)仅为30毫欧,而在VGS=20V时,RDS(ON)也保持在较低水平,这使得它在需要低损耗和高效能的电路中非常有用。
该器件的额定 Drain-Source 电压(VDS)为30V,能够承受一定范围内的电压波动。它的最大连续漏源电流(ID)在不同温度下有所不同,如在25°C时为6.5A,而70°C时降至6.0A。此外,脉冲漏源电流(IDM)可达到25A,显示了其在瞬态工作条件下的良好性能。
连续源漏二极管电流(IS)在25°C时为1.4A,但请注意,这是在特定条件下,如1"x1"FR4板上的表面安装和5秒的测试时间。最大功率耗散(PD)在25°C时为1.7W,而70°C时下降到1.1W。操作结温及储存温度范围宽泛,从-55°C到150°C,确保了在各种环境条件下的稳定工作。
此外,这款MOSFET经过100%栅极电荷(Rg)测试,保证了产品的质量。热阻性能也是衡量MOSFET散热能力的重要指标,虽然没有直接给出具体数值,但产品手册通常会提供这些详细信息,以帮助设计师评估在实际应用中的散热需求。
2SK2731T146-VB是针对低电压、大电流应用的理想选择,特别是对于需要紧凑封装和高效能的DC/DC转换器设计。其低RDS(ON)和环保特性使其在电源管理领域具有竞争力。在实际使用时,需结合其参数和热管理特性,以确保系统稳定运行。
2024-03-13 上传
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