FDD6680-NL-VB: 30V N沟道TO252封装高性能MOSFET

FDD6680-NL-VB是一种高性能的N沟道TrenchFET® PowerMOSFET，它采用TO252封装，专为高效率和可靠性设计。这款MOSFET的主要特点包括： 1. **技术特性**： - **耐压能力**：该MOSFET具有30V的 Drain-Source (D-S)电压等级，确保了在高压应用中的稳定性能。 - **开关特性**：在VGS=10V时，其典型RDS(on)低至0.007Ω，而在VGS=4.5V下为0.009Ω，表现出极高的开关速度和低导通电阻。 - **测试标准**：100%的Rg和UISTest验证，符合RoHS指令2011/65/EU，确保了环保和安全标准。 2. **应用场景**： - **并联电路**：由于其高电流处理能力，适用于OR-ing（并联开关）应用。 - **服务器电源**：由于其高效率和散热性能，适合于对功率管理要求严格的服务器电源转换。 - **DC/DC转换器**：这种MOSFET也适用于小型化和高效的DC/DC转换器设计。 3. **极限参数与工作条件**： - **额定电流**：连续和脉冲状态下，有明确的电流限制，如在25°C时，最大连续Drain Current为90A，而脉冲峰值电流IDM高达200A。 - **能量处理能力**：单次脉冲雪崩电流IAS为39A，单次脉冲雪崩能量EAS为94.8mJ，体现了它的过载保护性能。 - **热管理**：最高允许的功率损耗在不同温度条件下有所不同，如在25°C时，最大功率耗散PD为100W，在70°C时有所降低。 4. **温度范围**： - **工作温度**：MOSFET的正常操作范围是-55°C到175°C，TJ表示运行时的结温，而Tstg则表示存储温度。 - **热阻特性**：提供了不同条件下的热阻值，用于计算在不同温度下的实际散热情况。 FDD6680-NL-VB是一款针对高电压、大电流和高效率应用的理想选择，特别是在需要高效能和可靠性的服务器和DC/DC转换器领域。它的特性使得设计者能够在保持系统性能的同时，充分考虑了温度管理和安全性。