2319GN-HF-VB P-Channel MOSFET: 特性、应用与关键参数

本文介绍了2319GN-HF-VB，这是一款由VBsemi公司生产的P-Channel沟道SOT23封装的MOSFET晶体管。该器件具有TrenchFET® PowerMOSFET技术，适用于移动计算设备，如负载开关、笔记本适配器开关和DC/DC转换器等应用。以下是对该产品的详细参数和特性的分析。 首先，2319GN-HF-VB的主要特点包括： 1. TrenchFET结构：这是一种先进的MOSFET制造工艺，通过在硅片上形成深沟槽来提高器件的性能，降低导通电阻（RDS(on)）并提升效率。 2. 100%栅极电阻（Rg）测试：确保每个器件的稳定性和一致性。 3. 针对特定应用设计：如移动计算设备的电源管理，如笔记本电脑的负载开关，电源适配器控制，以及直流到直流转换。 产品参数如下： - 最大漏源电压（VDS）：-30V，意味着晶体管可以在不超过-30V的电压下工作，防止过压损坏。 - 在VGS = -10V时的典型RDS(on)：47毫欧，这意味着在该栅极电压下，晶体管的导通电阻低，可提供良好的开关性能。 - 连续漏电流（ID）：在25°C下为-5.6A，在70°C下为-5.1A或-4.3A，取决于脉冲条件，表明该器件可以处理较高的电流负载。 - 总栅极电荷（Qg）：11.4纳库仑，影响开关速度，较低的Qg表示更快的开关时间。 - 封装形式：TO-236（SOT-23），这是一种小型表面贴装封装，适合空间有限的应用。 - 绝对最大额定值：包括VDS的最大值为-30V，VGS的最大值为±20V，以及在不同温度下的连续漏电流限制。 热特性方面： - 最大结温（TJ）和存储温度范围为-55°C至150°C，保证了器件在广泛环境温度下的可靠性。 - 不同温度下的最大功率耗散（PD）：25°C时为2.5W，70°C时为1.6W，这些值会因散热条件而变化。 此外，这款MOSFET还包含一个内置的源漏二极管，允许在反向偏置时进行电流流动。在25°C时，连续源漏二极管电流（IS）的最大值为-2.1A。需要注意的是，所有这些数值都是基于特定测试条件的，例如结温、栅极电压和脉冲持续时间，实际应用中应根据具体电路条件进行选择和设计。 总结来说，2319GN-HF-VB是一款高性能的P-Channel MOSFET，适合在移动设备的电源管理中使用，其低RDS(on)、小封装和良好的热特性使其在便携式设备的电源开关和转换应用中表现出色。在设计电路时，必须充分考虑其参数和工作条件，以确保最佳性能和可靠性。