场效应管漏源电压对漏极电流影响及三极管特性

"本文主要探讨了漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用以及双极型半导体三极管的特性曲线，包括输入特性和输出特性，同时介绍了三极管的主要直流参数。" 在场效应管中，漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用至关重要。当VDS较小时，沟道呈斜线分布，随着VDS的增加，当达到VGD=VGS(th)时，会发生预夹断现象。当VDS进一步增加到使VGD<VGS(th)，ID基本保持不变。若VGS固定在大于VGS(th)的某个值，VDS对ID的影响表现为ID=f(VDS)|VGS=const，形成漏极输出特性曲线，这条曲线描述了ID如何随着VDS的变化而变化。 双极型半导体三极管，如共发射极接法，其工作特性由电压-电流关系图表示。输入特性曲线iB=f(vBE)|vCE=const展示了输入电流iB与输入电压vBE之间的关系，而输出特性曲线iC=f(vCE)|iB=const则展示了输出电流iC与输出电压vCE的关系。共发射极接法的输出特性曲线分为几个区域：饱和区、截止区和放大区。在饱和区，vCE较小，发射结和集电结都正偏或反偏电压很小；截止区，发射结和集电结反偏，iC接近零；放大区，iC基本不随vCE的增加而改变，发射结正偏，集电结反偏，且vCE大于0.7V（对于硅管）。 直流参数是衡量三极管性能的重要指标，主要包括直流电流放大系数。例如，共发射极直流电流放大系数β=(IC-ICEO)/IB≈IC/IB，在放大区保持相对稳定，可以通过输出特性曲线上的垂直于X轴的直线（vCE=const）来求取。然而，β值在IC较小时和较大时可能会有所下降，这种关系可以从相关的特性曲线图中观察到。 漏源电压VDS对场效应管漏极电流ID的控制以及双极型三极管的工作特性，特别是输入和输出特性曲线，是理解这些半导体器件工作原理的关键。此外，直流参数的分析有助于我们更好地理解和应用这些器件。