SI2306DS-T1-GE3-VB：N沟道30V MOSFET技术规格

"SI2306DS-T1-GE3-VB是一种N沟道MOSFET，采用SOT23封装，适用于DC/DC转换器等应用。该器件具有低RDS(on)，高效率及符合RoHS标准等特点。" SI2306DS-T1-GE3-VB是一款由Siliconix（现为Infineon Technologies的一部分）制造的N沟道MOSFET，主要用于电源管理中的开关和控制。其主要特点包括： 1. **TrenchFET®技术**：TrenchFET是Siliconix开发的一种先进的MOSFET结构，它利用沟槽式晶体管设计，通过在硅片上挖出深沟槽来实现更小的尺寸和更高的密度，从而提高开关性能和降低导通电阻。 2. **低导通电阻**：这款MOSFET在10V的栅极电压下，RDS(on)仅为0.030Ω，这表示在导通状态下的内部电阻非常低，有助于减少电源转换过程中的能量损失。 3. **符合RoHS和无卤素要求**：器件符合RoHS指令2002/95/EC，不含有害物质，同时也符合IEC61249-2-21的无卤素定义，这意味着它是环保友好的电子元件。 4. **100%Rg测试**：所有产品都经过了栅极电阻（Rg）测试，确保了器件的可靠性和一致性。 5. **应用领域**：适用于DC/DC转换器，这是电子设备中常见的电源管理应用，用于将高电压转换为设备所需的各种低压工作电源。 6. **封装形式**：采用TO-236（SOT-23）封装，这是一种小型表面贴装封装，适合在紧凑的电路板空间内使用。 7. **电气参数**： - **最大漏源电压** (VDS)：30V，这是MOSFET能够承受的最大电压差。 - **连续漏极电流** (ID)：在不同温度下有不同的额定值，如25°C时为6.5A，70°C时为6.0A。 - **脉冲漏极电流** (IDM)：25A，表示在短时间内能承受的峰值电流。 - **源漏二极管电流** (IS)：在特定条件下，源漏二极管可以承受的最大电流。 - **最大功率耗散** (PD)：随温度变化，如25°C时为1.7W，70°C时为1.1W。 - **结温范围** (TJ, Tstg)：-55°C到150°C，这是MOSFET工作或储存的适宜温度范围。 8. **热特性**：提供了器件的热阻数据，这对于评估器件在高功率运行时的散热能力至关重要。 总体而言，SI2306DS-T1-GE3-VB是一款高性能、小型化的N沟道MOSFET，适用于需要高效、低损耗电源转换的电子设备。其设计考虑了环保要求和可靠性，适合在各种消费类、工业级以及车载电子产品中使用。