TSMC 0.35微米工艺库详细技术说明

"这份文档是关于TSMC（台湾半导体制造公司）0.35微米工艺库的详细说明，涵盖了工艺库的重要更新历史、模型的添加与修正以及相关规格的变更。" 在半导体制造中，工艺库是设计集成电路（IC）的基础，它包含了特定工艺下的晶体管模型、互连电容、电阻等参数。TSMC的0.35微米工艺库是用于设计这一工艺节点芯片的关键资源。文档中的更新历史显示了该工艺库随着时间的推移不断优化和改进的过程： 1.1 版本：原始版本，引入了ESD（静电放电）模型（HSPICE level 28）和BSIM3V3 MOS模型，这些模型对于模拟电路的行为仿真至关重要。 1.2 版本：修正了RC_N+、RC_P+和RC_PO的参数，这些参数影响晶体管的寄生效应和电路性能。 1.3 版本：继续优化BSIM3V3模型，使其与HSPICE兼容，以提供更精确的模拟结果。 1.4 版本：除了之前的修订，还增加了pcm规范，这可能指的是电源完整性的相关模型或规则。 2.1 版本：将MOS、双极型和二极管模型从"BA-1095-6001, V2.2, 0.35UM LOGIC POLYCIDE (SPQM, 3.3V) SPICE MODELS"复制过来，这表明工艺库模型的来源和标准的更新。 2.2 版本：更改了HDIF（高级设计信息格式）值以符合最小规则，增加了1P3M互连及电阻模型，同时将文档编号从"TA-1095-6004"更改为"T-035-LO-SP-001"，表明文档的管理和标准化更加严谨。 后续的版本中，修复了双极型晶体管布局GDS文件中的错误，移除了3NV和5VN层，并提供了修复后的Gds文件，以及更新了其他相关模型，持续提升工艺库的准确性和完整性。 0.35微米工艺虽然相对较老，但在许多嵌入式系统和低功耗应用中仍被广泛使用。这个工艺库的详细说明对于那些需要在该节点进行设计的工程师来说是极其宝贵的参考资料，它包含的模型和参数确保了设计者能够在仿真和实际制造之间取得准确的对应，从而优化芯片性能和功耗。