BUK662R7-55C-VB：低阻值N沟道TO263封装MOSFET特性与规格

本文档介绍了一款名为BUK662R7-55C-VB的N沟道TO263封装MOSFET，它是一款高性能、环保的沟槽型功率MOSFET。该器件采用低热阻封装，旨在提供高效能和卓越的散热性能。 主要特点包括： 1. **无卤素**：符合IEC 61249-2-21标准，确保在电子设备设计中具有良好的环保特性。 2. **Trench FET技术**：基于沟槽场效应晶体管（Trench FET）设计，这种结构有助于降低导通电阻和提高开关速度。 3. **低热阻封装**：有助于快速散热，适合高功率应用，减少器件过热的风险。 4. **严格的测试标准**：100% Rg和UISTest通过，满足RoHS指令2002/95/EC的要求，确保产品质量和安全性。 5. **参数限制**：注意包装限制，例如脉冲测试条件（脉宽≤300μs，占空比≤2%），且在1平方英寸FR-4材料PCB上安装时考虑。 6. **电参数**： - 集成度高，单声道D-G-S配置，N-Channel MOSFET。 - VDS最大电压为60V，VGS工作范围为±20V。 - ID最大连续电流（25°C）为210A，随着温度升高，有所下降。 - 在VGS=10V时，RDS(on)低至0.0028Ω；在VGS=4.5V时，RDS(on)为0.0120Ω。 - 具有单脉冲雪崩电流和能量规格，如IS和EAS。 7. **功率处理能力**：最大持续功率（25°C）为375W，而在125°C下为125W，同时提供了宽广的温度工作范围，从-55°C到+175°C。 8. **热阻指标**：文档列出了从Junction（晶闸管）到Ambient（环境）以及PCB Mount条件下Junction-to-Ambient的热阻参数。 总结来说，BUK662R7-55C-VB是一款适用于需要高效率和低损耗应用的N沟道MOSFET，其设计特点和电气特性都体现了在现代电子产品设计中的关键作用。设计师在选择和使用这款器件时，应考虑其特定的测试限制和工作条件，以确保最佳性能和系统可靠性。