BUK662R7-55C-VB:低阻值N沟道TO263封装MOSFET特性与规格
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更新于2024-08-03
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本文档介绍了一款名为BUK662R7-55C-VB的N沟道TO263封装MOSFET,它是一款高性能、环保的沟槽型功率MOSFET。该器件采用低热阻封装,旨在提供高效能和卓越的散热性能。
主要特点包括:
1. **无卤素**:符合IEC 61249-2-21标准,确保在电子设备设计中具有良好的环保特性。
2. **Trench FET技术**:基于沟槽场效应晶体管(Trench FET)设计,这种结构有助于降低导通电阻和提高开关速度。
3. **低热阻封装**:有助于快速散热,适合高功率应用,减少器件过热的风险。
4. **严格的测试标准**:100% Rg和UISTest通过,满足RoHS指令2002/95/EC的要求,确保产品质量和安全性。
5. **参数限制**:注意包装限制,例如脉冲测试条件(脉宽≤300μs,占空比≤2%),且在1平方英寸FR-4材料PCB上安装时考虑。
6. **电参数**:
- 集成度高,单声道D-G-S配置,N-Channel MOSFET。
- VDS最大电压为60V,VGS工作范围为±20V。
- ID最大连续电流(25°C)为210A,随着温度升高,有所下降。
- 在VGS=10V时,RDS(on)低至0.0028Ω;在VGS=4.5V时,RDS(on)为0.0120Ω。
- 具有单脉冲雪崩电流和能量规格,如IS和EAS。
7. **功率处理能力**:最大持续功率(25°C)为375W,而在125°C下为125W,同时提供了宽广的温度工作范围,从-55°C到+175°C。
8. **热阻指标**:文档列出了从Junction(晶闸管)到Ambient(环境)以及PCB Mount条件下Junction-to-Ambient的热阻参数。
总结来说,BUK662R7-55C-VB是一款适用于需要高效率和低损耗应用的N沟道MOSFET,其设计特点和电气特性都体现了在现代电子产品设计中的关键作用。设计师在选择和使用这款器件时,应考虑其特定的测试限制和工作条件,以确保最佳性能和系统可靠性。
2024-01-08 上传
2023-12-21 上传
2023-12-26 上传
2023-12-26 上传
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