CES2323-VB：30V P沟道SOT23封装高性能MOS管

本文档介绍了一款名为CES2323-VB的P沟道SOT23封装MOSFET，它是一款高性能的沟槽型功率MOS场效应晶体管，特别适合移动计算应用中的负载开关、笔记本适配器开关以及DC/DC转换器等场合。这款器件具有以下主要特点： 1. **特性**: - **TrenchFET技术**：利用先进的沟槽结构设计，提高开关速度和效率，减小导通电阻（RDS(on)）。 - **高可靠性**：100%的Rg（栅极到源极间电容）测试，确保了长时间稳定运行的性能。 - **封装形式**：采用SOT-23小型表面贴装封装，占用空间小，适合于紧凑型设计。 2. **规格参数**: - **电压等级**：最大集电极-源极电压（VDS）可达-30V，门极-源极电压（VGS）范围是±20V。 - **电流能力**： - 连续工作时的漏极电流（ID）在室温下约为-5.6A，随着温度升高有所降低。 - 最大脉冲电流（IDM）在100微秒时间窗口内为-18A。 - **热性能**：允许的最大功率损耗（PD）在不同温度条件下有所限制，如在25°C时为2.5W。 - **温度范围**：操作和储存温度范围广泛，从-55°C到150°C。 3. **应用场景**： - **移动计算**：由于其低功耗和小型化的特点，适合于对功耗敏感的移动设备中的电源管理。 - **电源转换**：在DC/DC转换器中，可以实现高效能的电压调节。 4. **注意事项**： - 所有参数基于25°C环境温度，表面安装在1"x1"FR4板上，且在5秒持续时间下测量。 - 高温条件下的性能可能会有所下降，如在70°C时，ID和PD值会比25°C时略低。 5. **产品总结**： CES2323-VB是一款针对特定应用需求设计的高性能P沟道MOSFET，用户在设计电路时需确保符合其温度、电流和电压限制，以确保最佳性能和长期可靠性。 这款MOSFET是设计工程师在设计低功耗、紧凑型电子系统时的理想选择，其高效的沟槽结构和严格的测试保证了在高温和高负载下的稳健表现。在实际应用中，务必注意其温度限制和工作条件，以充分发挥其潜力。