Cypress68013读写Samsung K9F1G NAND Flash程序

"51系列单片机读写NAND Flash的示例代码，用于在Cypress 68013上操作Samsung K9F1G08U NAND Flash芯片，MCU工作频率为48MHz。代码包含了清除、写入和读取的基本操作，但其他频率可能需要调整时序常数。" 在嵌入式系统中，NAND Flash是一种常见的非易失性存储器，用于存储大量数据。本示例代码主要关注如何在51系列单片机（在这种情况下是Cypress 68013）上与NAND Flash进行通信。NAND Flash具有较高的存储密度和较低的成本，但其接口操作比传统的EEPROM或SRAM更为复杂。 代码中的关键部分包括定义了与NAND Flash交互时所需的时序参数，如TDS（数据稳定时间）、TDH（数据保持时间）和TWHR（写后读恢复时间）。这些参数是根据MCU的时钟频率（48MHz）设定的，确保了正确执行命令和数据传输。在不同频率下运行，这些时序常数可能需要重新计算和调整。 为了与NAND Flash通信，代码定义了各种控制信号的I/O引脚映射，例如： - POW_LEDPD1：电源或LED控制 - SIG_WEnPA1：写使能信号 - SIG_REnPA5：读使能信号 - SIG_CLEpPA3：清除信号 - SIG_ALEpPA2：地址锁存使能信号 - SIG_RBPA6：忙信号 - SIG_WPPA0：写保护信号 - SIG_DATA_IO：数据总线 - SIG_DATA_DIR/OE：数据方向控制 `init_con_io()`函数初始化这些I/O端口的方向，确保在执行读写操作之前，它们处于正确的输入/输出状态。 此外，代码还包括了执行基本的NAND Flash操作的函数，如清除（擦除）、写入和读取。这些操作通常涉及发送特定的命令序列到NAND Flash，等待适当的等待状态，然后处理数据传输。由于NAND Flash的结构，写操作通常涉及擦除块（erase block）和编程页（program page），而读操作则涉及读取特定的地址。 为了确保正确操作，开发者需要了解NAND Flash的数据手册，理解其命令集、地址格式以及错误检测和纠正机制。在实际应用中，可能还需要实现更高级的功能，如坏块管理、ecc校验和页面缓冲区管理等。 这个示例代码提供了一个基础平台，可以在此基础上扩展和优化以满足具体项目的需要。在移植到其他MCU或NAND Flash型号时，需要对时序参数和I/O配置进行相应的调整。