英飞凌SPP17N80C3 CoolMOS® 功率晶体管技术规格

"SPP17N80C3是一款由英飞凌科技（INFINEON）制造的CoolMOS Power Transistor芯片。该芯片采用创新的高压技术，具有极高的dv/dt耐受能力，适合高直流电压工业应用和开关应用（如主动钳位前向转换器）。" 此芯片的主要特性包括： 1. **新革命性的高压技术**：这表明SPP17N80C3采用了英飞凌最新的高压处理技术，提高了在高电压环境下的稳定性和性能。 2. **极限dv/dt额定值**：dv/dt是指漏源电压随时间的变化率，这一特性表明该芯片能够在高速开关条件下承受极大的电压变化速率，减少了开关损耗，提升了效率。 3. **高峰值电流能力**：芯片能够处理较大的瞬时电流，这对于需要处理大电流脉冲的应用来说非常重要。 4. **符合JEDEC标准**：SPP17N80C3已根据JEDEC（联合电子设备工程委员会）的标准进行资格认证，确保了它在目标应用中的可靠性。 5. **无铅镀层，符合RoHS规定**：芯片的制造符合环保要求，不含铅，并符合欧盟的RoHS（有害物质限制）指令。 6. **超低栅极电荷和有效电容**：这两个参数决定了芯片的开关速度和功耗，超低的栅极电荷意味着更快的开关响应，而低有效电容则有助于减少存储电荷，提高工作效率。 **主要规格参数**： - **连续漏极电流（ID）**：在25°C和100°C下分别给出了最大值，显示了芯片在不同温度下的电流承载能力。 - **脉冲漏极电流（ID,pulse）**：指芯片能承受的最大脉冲电流，同样与温度相关。 - **雪崩能量（EAS和EAR）**：这些参数表示芯片在经历单个脉冲或重复脉冲雪崩击穿时能承受的最大能量，对芯片的过载保护有重要意义。 - **栅源电压（VGS）**：静态和交流（大于1Hz）条件下的最大值，决定了芯片的开启和关闭状态。 - **功率耗散（Ptot）**：在25°C下芯片的最大功率损耗，反映了芯片的热管理需求。 - **工作和储存温度（Tj, Tstg）**：芯片的运行和储存温度范围，确保了在极端环境下的稳定性。 - **安装扭矩（M3和M3.5螺丝）**：提供了固定芯片时建议的扭矩值，以保证连接的可靠性。 此外，还有漏源电压（VDS）、最大RDS(on)、典型栅极电荷（Qg, typ）等关键参数，它们直接影响着芯片的导通电阻、开关性能和整体效率。 SPP17N80C3是一款适用于高电压、高电流应用的高性能MOSFET，具备卓越的开关特性和出色的电气特性，尤其适用于需要快速响应和高效能的工业系统中。