Winbond W25Q128FV串行Flash存储器技术详解

"W25Q 数据手册 中文 翻译" 本文档是对Winbond公司的W25Q128FV串行Flash存储器的数据手册的中文翻译，由宁建利于2019年3月6日编译。这款128Mbit的存储设备专为那些对空间、引脚数量和功耗有严格限制的系统设计，提供高效能的存储解决方案。 W25Q系列相较于传统串行Flash器件，具备更高的灵活性和性能。它们适合用作代码存储，支持直接通过双线或四线SPI运行代码，以及存储音频、文本和数据。该设备的工作电压范围为2.7V至3.6V，运行电流最低4mA，待机模式下仅为1uA，确保了低功耗特性。封装设计紧凑，旨在节省空间。 W25Q128FV的存储阵列由65536个可编程页面组成，每个页面包含256字节。最大编程容量为256字节，擦除操作可以按16页（4KB扇区）、128页（32KB块）、256页（64KB块）或整个芯片进行。这种精细的扇区划分增强了数据管理和更新的灵活性，特别适用于需要存储数据或参数的应用。 该器件支持SPI、双线SPI、四线SPI以及2周期指令的QPI接口。SPI时钟频率最高可达104MHz，双线和四线模式下分别等效于208MHz和416MHz，远超标准的并行Flash存储器。连续读取模式允许高效访问内存，仅需8个时钟周期的预指令和24位地址，便于执行原位执行（XIP）操作。 此外，W25Q128FV提供了一个保持引脚、一个写保护引脚以及一套完整的写保护机制，包括对顶部和底部阵列的控制，确保了灵活且安全的操作。设备还符合JEDEC标准，具有制造商和器件ID，64位唯一序列号，以及3组各256字节的安全寄存器，增加了额外的安全性和可配置性。 W25Q128FV是一种高性能、低功耗的串行Flash存储解决方案，广泛适用于各种嵌入式系统，如微控制器、物联网设备和便携式电子产品。其丰富的功能和接口选项使其成为现代电子设计中的理想存储组件。