2300-CMN2300-VB：SOT23封装N-Channel MOSFET技术规格

"2300-CMN2300-VB是一款由VB Semiconductor制造的N-Channel沟道场效应MOSFET，采用SOT23封装，适用于DC/DC转换器和便携式应用的负载开关。该器件具有20V的额定漏源电压（VDS），在特定的门极电压下可提供6A的连续漏电流（ID）。其主要特点包括无卤素设计、TrenchFET功率MOSFET技术、100%栅极电阻测试以及符合RoHS指令。其RDS(ON)在VGS = 4.5V时为24mΩ，而Qg（总栅极电荷）则在不同VGS条件下有所不同。" 该MOSFET的设计和性能如下： - RDS(ON)是衡量MOSFET导通电阻的重要参数，较低的RDS(ON)意味着更低的导通损耗。在VGS = 4.5V时，2300-CMN2300-VB的RDS(ON)为28mΩ（包裝限制），而在VGS = 8V时，这个值上升到42mΩ。 - Qg是评估MOSFET开关性能的关键指标，它代表了将MOSFET从关闭状态切换到开启状态所需的电荷量。典型的Qg值在2.5V的VGS下为8.8nC。 - 这款MOSFET的门极-源极电压（VGS）的最大值为±12V，确保了其在正常操作条件下的稳定性。 - 在最大结温（TJ）为150°C时，连续漏电流ID限制为6A，而在TJ = 70°C时，ID降至5.1A。脉冲漏电流IDM则高达20A。 - 源漏二极管的连续电流IS为1.75A，在特定条件下，其数值可能会受到温度的影响，如在25°C时为1.04A，70°C时为0.8A。 - 最大功率耗散（PD）在25°C时为2.1W，而70°C时降低到1.3W，这表明器件的散热能力会随着环境温度的升高而下降。 - 结合和存储温度范围为-55°C至150°C，保证了器件在广泛的工作环境中仍能正常运行。 2300-CMN2300-VB是一款适合在低电压、高效率应用中的开关元件，尤其适用于需要小巧封装和良好开关特性的电路。其TrenchFET技术提供了出色的热性能和低电阻特性，对于优化电源效率和减少系统热量至关重要。同时，其符合RoHS标准，确保了环保的生产过程。