电子技术基石：关键参数与发展历程

模拟电子技术课件主要讲解的是各类基本放大器电路中的关键参数及其含义，这些参数对于理解和设计放大电路至关重要。首先，"共基直流电流放大系数"（h_fe或h_CB）衡量的是基极电流变化时集电极电流的放大程度，反映了放大电路在直流工作状态下的性能。"共射直流电流放大系数"（h_FE或h_CE）则表示当输入基极电压不变，输入电流增加时，输出集电极电流的放大效果。 "集电极与发射极间穿透电流"（ICEO）是指当基极开路时，由电源通过集电极漏向发射极的电流，它对放大器的静态工作点稳定性和噪声水平有直接影响。"共基交流电流放大系数"（h_ie或h_FB）和"共射交流电流放大系数"（h_fe或h_AC）则是衡量放大器在交流信号下的放大能力，是衡量电路动态性能的重要指标。 此外，电路中的两个重要参数α和β之间的关系是电子技术的基础，它们满足α + β ≈ 1（在某些特定条件下），或者通过公式ICN/IE = (1 + α)ICEO来表达。α定义为共基放大系数，即IC/IC_BO，而β代表共射放大系数，即IC/IB。这两个参数体现了放大电路的非线性特性，α反映了输入信号对输出信号的控制能力，β则衡量了电路的增益能力。 电子技术的发展历程是一个从基础理论到实际应用的渐进过程。自19世纪末H.A.洛伦兹和J.J.汤姆森的发现以来，电子学经历了从简单二极管到复杂三极管的发明，再到晶体管和集成电路的诞生。从最初的分立元件到大规模、超大规模集成，集成度的提升推动了电子技术的飞速发展，使得现代科技如通信、计算机、自动化等领域得以实现。 如今，电子技术已深入到社会生活的各个角落，被称为"四C"，即Components（组件）、Communication（通信）、Control（控制）和Computing（计算）。随着技术的进步，我们进入了微电子时代，芯片上元器件数量的爆炸性增长极大地促进了科学和技术的进步，极大地改变了我们的生活方式和生产方式。