三星KM681000C：128Kx8位低功耗CMOS静态RAM规格说明书

"SAMSUNG-KM681000C.pdf" SAMSUNG-KM681000C是一款由三星电子推出的128Kx8位低功耗CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。该文档详细介绍了这款芯片的规格和特性，适用于需要高效能、低功耗内存解决方案的电子产品设计。 修订历史表显示了芯片规格书的演变过程，从0.0版的设计目标，到最终的2.0版，经过多次迭代和改进。在0.1版中，初步设计完成；1.0版标志着预发布阶段，此时芯片已具备基本功能；最后，2.0版是最终版本，对读写电流进行了优化，并添加了新的速度等级。 在2.0版中，三星对KM681000C的主要改进包括： 1. 读写电流的优化：在工作电流（ICC）等于工作电流1（ICC1）的情况下，读操作电流从15mA减少到10mA，显著降低了功耗。写操作电流不再单独列出，可能已被整合或不再被提及。 2. 工作电流2（ICC2）的降低：从90mA减少到60mA，这进一步节省了待机或非活跃状态下的电力消耗。 3. 速度等级的调整：商业产品中删除了45ns速度等级，而工业产品中去除了55ns和100ns速度等级，这意味着产品线聚焦于更高速度的性能。 KM681000C的通用描述指出，这是一款专为低功耗应用设计的SRAM，其结构为128K字节（128Kx8位），提供8位数据宽度。SRAM是一种非易失性存储技术，能够在没有电源的情况下保持数据，但与动态随机存取存储器（DRAM）相比，它的功耗更高，速度更快。这款芯片可能适用于嵌入式系统、移动设备或需要高性能内存的任何其他电子设备。 此外，文档还强调，三星电子保留更改产品规格的权利，同时鼓励用户如果有任何关于设备的问题，可以直接联系三星的分支机构获取技术支持。 SAMSUNG-KM681000C是一款经过多次优化，旨在提供高效能和低功耗的128Kx8位CMOS静态RAM，适用于要求严格的电子设计领域。随着版本的更新，其性能和能效得到了显著提升，适应了市场对低功耗内存需求的增长。