CEM4042-VB：N沟道低阻抗TrenchFET MOSFET

"CEM4042-VB是一款N沟道的40伏SOP8封装MOSFET，采用TrenchFET功率MOSFET技术，适用于笔记本CPU核心的高侧开关应用。该器件具有低导通电阻、快速开关特性和符合RoHS标准的无卤素设计。" CEM4042-VB是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），主要用于高侧开关应用，如在笔记本电脑的中央处理器（CPU）核心供电电路中。这款MOSFET采用了TrenchFET技术，这是一种先进的制造工艺，通过在硅片上形成深沟槽结构来提高器件的性能和效率。 关键特性包括： 1. **低导通电阻**：在VGS=10V时，RDS(on)仅为0.0045欧姆，这意味着在满载条件下的功率损耗较低，提高了系统效率。 2. **快速开关性能**：Qg（总栅极电荷）为8nC，确保了快速的开通和关断时间，这对于高速切换应用至关重要。 3. **无卤素设计**：符合IEC61249-2-21标准，表明该器件不含卤素，符合环保要求。 4. **全面测试**：100%进行了Rg（栅极电阻）和UIS（雪崩能量耐受）测试，确保了产品的可靠性和稳定性。 参数规格如下： - **额定电压**：VDS的最大值为40V，可承受较高的电压波动。 - **栅极源电压**：VGS的最大值为±20V，保证了良好的控制能力。 - **连续漏极电流**：在不同温度下，ID的最大值不同，如在25°C时为18A，在70°C时为13.5A。 - **脉冲漏极电流**：IDM的最大值为50A，允许短暂的高电流脉冲。 - **连续源漏二极管电流**：IS的最大值为4.5A，表明其内置的体二极管能承受的连续反向电流。 - **单脉冲雪崩电流**：IAS的最大值为20A，表明器件在特定条件下可以承受的雪崩电流。 - **最大功率耗散**：在25°C和70°C时分别为5W和3.2W，需注意散热设计以防止过热。 - **结温范围**：工作和存储的温度范围为-55°C到150°C。 热特性方面，虽然没有提供具体的热阻数据，但提到了最大稳态功耗与温度的关系，这将影响实际应用中的散热设计。在选择和使用CEM4042-VB时，必须考虑这些参数以确保其在系统中的稳定运行。