Vishay IRFP460A MOSFET技术规格与应用

"MOSFET管相关知识总结（1）" 本文主要介绍了Vishay Siliconix公司的PowerMOSFET产品，具体型号为IRFP460A和SiHFP460A，这两款器件是单个N沟道MOSFET，适用于开关模式电源（SMPS）、不间断电源等应用。以下是关于MOSFET管的详细知识： 1. 特性： - 低栅极电荷Qg：这使得驱动电路设计变得简单，因为较低的Qg意味着需要较少的驱动电流来控制开关操作。 - 增强的门极、雪崩和动态dv/dt耐受性：提高了MOSFET在高速开关条件下的稳定性和耐用性。 - 完全特性化：包括电容和雪崩电压及电流，确保了可靠性和一致性。 - 有效的Coss规格：Coss（输出电容）被明确规定，有助于减少开关损耗。 - 提供无铅版本：满足RoHS标准，对环境友好。 2. 应用场景： - 开关模式电源：在电源转换中，MOSFET常用于高频开关操作，实现高效能和小型化。 - 不间断电源：确保在电网故障时提供连续电力供应。 - 高速功率开关：MOSFET的快速开关性能使其适合于高速切换应用。 3. 典型SMPS拓扑： - 全桥拓扑：在交流到直流转换中，MOSFET可以用于构建全桥逆变器。 - PFC（功率因数校正）增益：在电源输入阶段，用于提高电流波形与电压波形之间的相位关系，减少电网污染。 4. 技术参数： - 最大漏源电压VDS：500V，表明MOSFET可承受的最大电压。 - 导通电阻RDS(on)：在VGS=10V时，RDS(on)为0.27Ω，是衡量MOSFET导通状态下的内部电阻，直接影响功耗。 - 栅极电荷Qg：最大值为105nC，影响开关速度和功耗。 - Qgs和Qgd：分别为26nC和42nC，它们影响开关转换期间的能量消耗。 5. 绝对最大额定值： - 参数如脉冲宽度限制、启动TJ、电感值、栅极电阻、源极电流、二极管反向电流等都有明确的限制条件。 6. 封装与订购信息： - 采用TO-247封装，提供无铅版本IRP460APbF和含铅版本IRP460A，以及对应型号的SiHFP460A。 IRFP460A和SiHFP460A MOSFET是高性能的功率开关元件，广泛应用于电源转换领域，其低栅极电荷和优化的电气特性使其在高效率、高速度的应用中表现出色。同时，它们的环保无铅选项也符合现代电子产品的绿色制造需求。