英飞凌OptiMOSTM6 MOSFET BSZ018N04LS6技术规格

"BSZ018N04LS6是英飞凌(INFINEON)生产的一款电子元器件芯片，属于OptiMOSTM 6功率晶体管系列，设计用于同步整流，具备低导通电阻、高耐压、通过100%雪崩测试以及优秀的热性能等特性。该芯片采用无铅电镀铅工艺，符合RoHS标准，并且不含卤素，适用于175°C的工作环境。产品已经按照JEDEC标准进行了工业应用的全面验证。" 此芯片的关键性能参数包括： - 最大漏源电压(VDS)：40V - 最大导通电阻(RDS(on))：1.8毫欧 - 额定电流(ID)：40A - 关断状态电容(Qoss)：34nC - 门极电荷在0V至10V变化时(QG(0V..10V))：31nC - 门极电荷在0V至4.5V变化时(QG(0V..4.5V))：15nC 封装信息： - 类型/订购代码：BSZ018N04LS6 - 封装：PG-TSDSON-8FL - 标记：18N04L6 文档还包含了表格目录，涵盖了芯片的描述、最大额定值、热特性、电气特性、电气特性图表、封装轮廓以及修订历史等内容。这些详细信息对于理解芯片的性能、使用条件和安装指导至关重要。 英飞凌的OptiMOSTM 6功率晶体管系列是针对高效电源管理而设计的，其低RDS(on)特性使其在同步整流应用中表现出色，能有效降低开关损耗，提高转换效率。同时，由于其卓越的热性能，这款芯片在高功率密度和高温环境下也能保持稳定工作。100%的雪崩测试确保了芯片在过载条件下的可靠性，而符合RoHS和无卤素的标准则满足了现代电子产品对环保和安全的要求。 BSZ018N04LS6是一款高性能、高可靠性的电子元器件，适用于需要高效能和低功耗的电源系统设计，如服务器电源、数据中心电源转换、电池管理系统以及其他需要精密电源管理的场合。设计者可以依据提供的数据手册来评估这款芯片是否适合其特定的应用需求。