BSS84-13-F-VB：P-Channel MOSFET晶体管特性与应用

"BSS84-13-F-VB是一款由VBsemi生产的P-Channel沟道MOSFET，适用于SOT23封装，主要特点包括低导通电阻、快速切换速度和符合RoHS标准。其关键参数有：最大漏源电压-60V，最大门源电压±20V，典型阈值电压-2V，低导通电阻3Ω（在VGS=10V时），以及低输入电容20pF。此外，它适合高侧开关应用，且能承受脉冲 Drain 电流达-1500mA。" BSS84-13-F-VB是一款P-Channel沟道MOSFET，采用小型化的SOT23封装，适合在空间有限的电路设计中使用。这款器件的最大特点是其高效的性能和环保特性。作为一款TrenchFET® Power MOSFET，它利用沟槽结构以降低导通电阻，从而在工作时能减少功率损耗，提高效率。 该MOSFET的额定漏源电压（VDS）为-60V，这意味着它可以在高达-60V的电压下安全工作。其连续漏极电流（ID）在25°C时可达到-500mA，而在100°C时则降至-350mA，这表明随着温度升高，电流承载能力会下降。脉冲漏极电流（IDM）测试条件下，器件可以承受瞬间-1500mA的大电流，但需要注意的是，脉冲宽度必须限制在300μs内，且占空比不超过2%，以防止过热。 门源电压（VGS）的范围是±20V，而典型的阈值电压（Vth）为-2V，这意味着在较低的栅极电压下就能开启MOSFET，有利于节能。低导通电阻（RDS(on)）仅为3Ω（在VGS=10V时），这使得在导通状态下，器件的电压降较小，降低了电路中的能量损失。同时，低输入电容（20pF）确保了快速的开关速度，适合高频应用。 此外，BSS84-13-F-VB符合RoHS指令2002/95/EC，不含卤素，满足现代电子设备的环保要求。其最大结壳热阻（RthJA）为350°C/W，意味着在正常工作条件下，器件能够有效地散发热量。工作和存储的温度范围是从-55到150°C，确保了在各种环境条件下的稳定运行。 BSS84-13-F-VB是一款适用于电源管理、信号切换以及其他需要高效、低功耗P-Channel MOSFET的应用。其紧凑的封装、出色的电气特性和环保属性使其成为许多电子设计的理想选择。用户可以通过VBsemi提供的服务热线400-655-8788获取更多产品信息和支持。