英飞凌BSS138W SIPMOS小信号晶体管中文规格书详解

英飞凌(BSS138W)是一款集成的小信号场效应晶体管(SIPMOS)，专为增强模式工作设计，适用于逻辑电平驱动。该器件具有以下主要特点： 1. **类型与结构**： BSS138W采用N沟道设计，属于增强模式，这意味着它在栅极电压正向偏置时导通，适合于低功耗或开关应用。 2. **电流特性**： - 连续电流：在25°C下，ID的典型值为0.28A，当温度升至70°C时，降为0.22A。 - 脉冲电流：在25°C时，允许的最大脉冲电流为1.12A，这确保了器件在短时间内能承受较高的电流冲击。 - 反向恢复速度：当ID=0.28A，VDS=48V，di/dt=200A/μs，且在150°C的极限温度下，dv/dt的额定值为6kV/μs，这是衡量反向恢复速度的关键参数。 3. **电气参数**： - 驱动电压范围：VGS的典型值为±20V，确保了与逻辑电路的兼容性。 - 最大集电极电压：VDS最大为60V，集电极-源极导通电阻(RDS(on))最大为3.5Ω。 - 当ID为0.28A时，器件能够稳定工作。 4. **热性能**： - 功率损耗：在25°C环境下的最大功率损耗为0.50W，同时提供良好的热阻RthJA，以防止过热。 - 温度范围：工作温度在-55°C至150°C，存储温度可达-55°C至125°C。 5. **封装与标记**： BSS138W采用PG-SOT-323封装，紧凑型设计便于集成。提供了两种带编号的版本，分别是BSS138W PG-SOT-323H和6433:10000，以及修订版本2.43，符合AECQ101标准，且不含铅、符合RoHS环保要求。 6. **其他特性**： - 符合IEC 61249-2-21标准，无卤素，表明其在医疗设备和其他敏感应用中的安全性。 - 提供了详细的最小、典型和最大值参数，如热阻和电气性能，方便用户在实际应用中了解设备性能的稳健性。 总结来说，BSS138W是一款高效、小型化的N沟道SIPMOS，适用于各种逻辑和开关电路，具有良好的热稳定性、低功耗和抗ESD（静电放电）能力。在选择和使用时，应关注其电流能力、电压等级以及封装特性，以确保在特定的应用环境中实现最佳性能。