VBsemi CEP6086-VB：N沟道60V TO220 MOSFET技术规格

"CEP6086-VB是一款N沟道TO220封装的MOSFET，由VBsemi公司生产。这款MOSFET采用TrenchFET技术，适用于高热能环境，其最大结温可达175°C。CEP6086-VB的主要特点包括耐高温性能、沟槽结构的功率MOSFET设计以及材料分类。它在25°C时的最大连续漏电流ID为60A，100°C时为50A，脉冲漏电流IDM达到200A。此外，该器件还具有反向导通能力，连续源电流IS为50A，雪崩电流IAS限制为50A。在短路条件下，单次雪崩能量EAS最大为125mJ。在25°C环境下，最大功耗PD为136W。设备的运行和储存温度范围为-55至175°C。热特性方面，最大结到壳热阻RthJC为0.85至1.1°C/W，而结到环境的最大热阻RthJA在10秒内典型值为15°C/W，稳态下为40至50°C/W。产品规格显示，当VGS为10V时，RDS(on)为0.011Ω，4.5V时为0.013Ω。更多详细信息可参考CEP6086-VB的数据手册或联系VBsemi的服务热线400-655-8788。" CEP6086-VB是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），适用于电源管理、开关应用以及其他需要高效能和高可靠性的电路。其TO220封装确保了良好的散热性能，适合在大电流和高温环境下工作。TrenchFET技术的运用使得这款MOSFET在低电阻和高速开关方面表现优秀，降低了开关损耗。 CEP6086-VB的绝对最大额定值是其关键参数，如门极-源极电压VGS的最大值为±20V，连续漏电流ID在不同温度下的限制，以及脉冲漏电流IDM和反向电流IS的上限。这些参数规定了MOSFET安全工作的边界条件，防止过载导致器件损坏。同时，Avalanche电流和Avalanche能量的限制考虑了MOSFET在过电流情况下的抗冲击能力。 热特性方面，RthJC和RthJA是衡量MOSFET热效率的重要指标。RthJC反映了MOSFET内部结温到外壳的热阻，而RthJA则表示从结温到周围环境的热阻。较低的热阻意味着更好的散热能力，有助于提高MOSFET的长期稳定性和寿命。 产品摘要中提供的RDS(on)数据，是评估MOSFET导通电阻的关键参数，它直接影响到在导通状态下MOSFET的压降和功耗。更低的RDS(on)意味着在相同电流下损失的功率更少，效率更高。 CEP6086-VB的这些特性使其成为各种高功率应用的理想选择，例如开关电源、电机驱动、逆变器和负载开关等。用户在设计电路时，应根据实际需求和环境条件，结合这款MOSFET的技术规格进行选择和优化。同时，查阅完整数据手册以获取更详细的信息和应用指导，确保正确、安全地使用这款器件。