AP2328GN-VB N-Channel MOSFET:关键参数与应用
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更新于2024-08-03
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"AP2328GN-VB是一款N-Channel沟道的MOSFET晶体管,采用SOT23封装,具有低RDS(ON)、小尺寸和符合RoHS标准等特点,适用于DC/DC转换器等应用。其关键参数包括30V的额定 Drain-Source 电压(VDS),在VGS=10V时的RDS(ON)为30mΩ,最大连续 Drain 电流(ID)在不同温度下有所不同,以及小的栅极电荷(Qg)。此外,它还经过100% Rg测试,确保了产品质量。"
文章详细介绍了AP2328GN-VB MOSFET晶体管的特性、应用和关键参数。这款MOSFET是一款采用TrenchFET技术的功率器件,具备卤素免费的环保特性,符合IEC61249-2-21标准和RoHS指令2002/95/EC。它的主要应用领域是DC/DC转换器,这表明它在电源管理领域有广泛的应用。
在产品摘要中,我们可以看到该MOSFET的关键参数。VDS的最大值为30V,表示源极和漏极之间能承受的最大电压差。RDS(ON)是非常重要的一个参数,它决定了晶体管在导通状态下的电阻,数值越小,导通电阻越低,意味着在相同电压下流过的电流更大,效率更高。在这个例子中,RDS(ON)在VGS=10V时为30mΩ,而在VGS=4.5V时为33mΩ。ID的最大连续电流在不同温度下有所不同,如在TJ=150°C时为6.5A,而TJ=70°C时为6.0A。
此外,MOSFET的栅极-源极电压(VGS)的最大值为±20V,这意味着门极相对于源极的最大电压范围。脉冲 Drain 电流(IDM)最大为25A,而连续源-漏极二极管电流(IS)在不同条件下也有不同限制。最大功率耗散(PD)和热特性也很重要,如在25°C时的最大PD为1.7W,而70°C时则降至1.1W。
MOSFET的热性能通过热阻抗(Rθ)来衡量,它定义了器件温度上升与功率耗散之间的关系。在不同的环境和工作条件下,MOSFET的结温(TJ)和储存温度(Tstg)也有明确的限制,保证了器件在正常操作范围内的可靠性。
AP2328GN-VB是一款适合于电源转换应用的高性能、小型化N-Channel MOSFET,其低RDS(ON)、高电流能力和良好的热管理特性使其成为电子设计中的理想选择。
2024-04-09 上传
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2024-03-14 上传
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