英飞凌IPB70P04P4-09功率晶体管：特性与规格概览

英飞凌(INFINEON)的IPB70P04P4-09是一款高性能的OptiMOS®-P2 Power-Transistor，它属于P沟道、正常级增强模式的功率晶体管。这款器件经过了AEC(汽车电子委员会)认证，具有出色的可靠性，适用于严苛的工作环境。以下是该元器件的主要特性和规格： 1. **特性：** - P沟道：适合在负载开关电路中作为负载开关或驱动器。 - 正常级增强模式：提供了稳定的性能和低栅极电荷，有助于减少功耗。 - AEC资格：确保在汽车电子应用中的稳健表现和长期稳定性。 - MSL ( Moisture Sensitivity Level )达到260°C，表明其在高温下具有较好的重新流焊能力。 - 操作温度范围宽广，高达175°C。 - 绿色封装（RoHS合规），符合环保标准。 - 经过100%雪崩测试，确保在过载条件下安全工作。 2. **主要参数：** - 连续 Drain Current (ID): 在25°C时，最大值为72A，而在100°C时下降到50A。 - 脉冲 Drain Current (ID,pulse): 在25°C下可达到-288A。 - 雪崩能量 (EAS) 和雪崩电流 (IAS) 分别为24mJ和-72A。 - 栅源电压 (VGS): 允许操作范围为±20V。 - 功率消耗 (Ptot): 在25°C下，最大功率为75W。 - 工作和存储温度范围 (-55°C至+175°C) 符合IEC气候类别DIN IE68-1规范。 - 最大集电极电压 (VDS): 可承受-40V，SMD版本的RDS(on)为9.1mW。 - ID的最大值为-70A。 3. **封装和标识：** - IPB70P04P4-09采用PG-TO263-3-2封装，标记为4P0409。 - IPI70P04P4-09和IPP70P04P4-09使用类似的封装（PG-TO262-3-1和PG-TO220-3-1），但可能有不同的版本。 - 不同型号的封装可能对应不同的尺寸和引脚布局。 4. **产品概述：** IPB70P04P4-09是一款适合在各种应用中提供高效能、高可靠性的P沟道功率晶体管，特别适合于对功率处理能力和温度耐受性有较高要求的场合，如汽车电子、工业控制和电机驱动等系统。 总结起来，IPB70P04P4-09是英飞凌推出的一款适于工业级应用的P型增强模式功率晶体管，具备卓越的性能和可靠性，是设计师构建高性能电子设备的理想选择。在选择和使用此类元器件时，需要考虑其操作条件、功耗限制以及与系统的兼容性。