LDMOS过流保护设计：电源控制芯片中的创新方案

"电源技术中的电源控制芯片设计中，过流保护是一个至关重要的安全机制，尤其是在高电压、大电流的应用场景下。本文提出了一种直接检测LDMOS漏端电压来实现过流保护的方法，这种方法在电路分析和BCD高压工艺的仿真验证下表现出高效、实时的保护功能。相比其他保护手段，它在功耗、效率、工艺兼容性和成本方面具有显著优势，适合在电源控制芯片中实施。 引言部分指出，随着家电、便携设备和手持电器的快速发展，电源适配器芯片的需求急剧增加。这些芯片往往需要处理高压和大电流，而LDMOS管是其中的关键组件，能够承受数百乃至上千伏的电压。为了确保芯片和LDMOS管的安全，设计有效的过流保护策略至关重要。传统的基于二极管正向压降的热监控方法虽有一定的保护效果，但由于硅片的热惰性，不能提供即时保护。 文中探讨了两种常见的过流检测方案：一是通过源端串联电阻检测电流，二是直接监测LDMOS管的漏端电压。前者存在电阻值精度低、增加LDMOS管压降和功耗的问题；后者则提供了更直接、实时的保护，减少了不必要的能量损耗。 采用直接检测LDMOS漏端电压的方法，可以实现快速响应的过流保护，当检测到电压异常升高时，可立即触发保护机制，断开LDMOS管，避免损坏。这种方法的电路结构设计和BCD高压工艺的结合，优化了芯片的性能，提高了工艺兼容性，降低了整体成本。 此外，文中还可能涉及了具体的电路设计细节，包括电路结构的布局、仿真过程以及实验证明的保护效果。这种方法不仅适用于新的电源控制芯片设计，也有可能被用于改进现有的电源管理解决方案，以提升系统整体的安全性和可靠性。 这篇摘要介绍的技术创新在于通过直接检测LDMOS漏端电压实现过流保护，解决了传统方法的局限性，为电源控制芯片的安全设计提供了一个高效且经济的方案。这种技术的广泛应用将有助于推动电源适配器芯片行业的发展，满足更多高性能、低能耗设备的需求。"