Hynix HY62UF16406D: 256Kx16bit SuperLowPower FCMOS SRAM 技术规格

"Hynix HY62UF16406D.pdf 是一份关于Hynix半导体公司生产的256Kx16bit全CMOS静态RAM(HY62UF16406D系列)的产品规格说明书。文档涵盖了产品的一般特性、技术规格和修订历史。" 该文档详细介绍了Hynix Semiconductor的HY62UF16406D系列内存芯片，这是一款256K字×16位的超低功耗、全CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。这款内存使用了高性能的全CMOS工艺技术，旨在实现高速度和低功耗，特别适用于高密度低功耗系统应用。 HY62UF16406D的关键特性包括： 1. 完全静态操作：意味着该芯片在不需时钟脉冲的情况下也能保持数据，提高了系统的稳定性和可靠性。 2. 三态输出：三态输出允许在多个设备共享总线时，通过控制使能信号来切换输出状态，从而提高了系统设计的灵活性。 3. 超低功耗设计：在2.7V至3.3V的工作电压范围内，实现了显著的节能效果，适合对功耗敏感的应用场景。 4. 数据保留模式：即使在电源电压降至1.5V的最低阈值时，仍能保证数据的有效性，增强了数据保护能力。 文档还列出了修订历史，表明了产品的发展和改进历程。从初稿到修订版03，经历了多次更新，包括公司logo的更改、电流消耗值的调整以及封装尺寸的缩小（从6.1mm改为6.0mm）等。 在使用这款芯片时，用户需要注意，虽然文档提供了电路信息，但Hynix Electronics并不对其使用的电路承担责任，且未明示提供专利许可。用户应根据自身需求和产品规格进行设计和应用。 HY62UF16406D是一款针对高效率、低功耗系统设计的先进SRAM芯片，其特性使其在便携式设备、嵌入式系统和其他要求高效能与低能耗的电子设备中具有广泛的应用前景。