步骤 7 取出钛片,依次使用浓度为 10%HCl 和去离子水清洗 90 s 和 10 min;
步骤 8 清洗操作完成之后,将该钛片放置在 80 °C 的烘箱中干燥 24 h;
步骤 9 采用磁控溅射的方法,在表面生长 TiO
x
纳米带阵列的钛片上制备直径约为
200 μm、厚度约为 100 nm 的 Ag 电极,形成 Ag/TiO
x
nanobelt/Ti 结构的忆阻器。
本文利用电化学工作站(CHI-660D)、四探针测试台(Lake Shore TTPX)和透射电子显微
镜对制备的 Ag/TiO
x
nanobelt/Ti 忆阻器进行联合性能测试,具体的测试电路如图 2(a)所
示。特别地,电化学工作站主要用于测试忆阻器的 I-V 特性曲线,四探针测试台腔体内安
装有小型湿度计负责检测空气相对湿度(Relative Humidity, RH),透射电子显微镜用于表征
材料的化学性能。基于图 2(a),测试电路的左边为 Ag 电极的光学图像,测试电路的右边
为纳米带的透射电子显微镜图像。Ag/TiO
x
nanobelt/Ti 忆阻器的忆阻效应是由氧空位迁移和
金属(Ag)导电细丝的形成和断裂共同主导的。当对 Ag 电极施加负向扫描电压,Ti 电极接
地时,TiO
x
nanobelt/Ti 界面处的氧空位逐渐向 Ag 电极方向迁移,而 Ag/TiO
x
nanobelt 界面
处的水分子与氧空位进行分解反应产生 OH
─
。随着负向扫描电压逐渐增加,OH
─
不断增
加,氧空位迁移形成的导电通道不断被扩宽,忆阻器逐渐由高阻态(High Resistance State,
HRS)转变为低阻态(Low Resistance State, LRS)。同样地,当对 Ag 电极施加正向扫描电
压,Ti 电极接地时,Ag 电极开始氧化形成 Ag
+
,在电场作用下向 Ti 电极迁移,到达 Ti 电
极后还原成 Ag 原子并堆积产生金属细丝导电通道。特别地,该导电通道与氧空位迁移形
成的导电通道方向相反,此时器件电流增加缓慢,器件仍处于 LRS。当正向扫描电压逐渐
减小至零时,金属细丝导电通道和氧空位迁移形成的导电通道处于断裂状态,器件由 LRS
转变为 HRS。
图 2 Ag/TiO
x
nanobelt/Ti 忆阻器的性能测试
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