二维锡硫化物SnS2作为脉冲锁模铒掺杂光纤激光器的新型饱和吸收器

本研究论文探讨了利用二维半导体材料——锡硫化物（SnS2）作为被动模式锁定掺铒光纤激光器的饱和吸收器。SnS2是一种n型直接带隙层状过渡金属二硫化物，其带隙值高达2.24电子伏特，这赋予了它在非线性光学领域的潜在应用。研究人员对SnS2的外观特性及其非线性饱和吸收性质进行了实验探究。 通过将SnS2与聚乙烯醇（PVA）复合制备成薄膜，成功实现了SnS2-PVA作为光纤激光器的模式锁定元件。这种创新的应用使得基于SnS2的光纤激光器能够实现模式锁定，其脉冲宽度达到惊人的623飞秒，而脉冲重复率则为29.33兆赫兹。这一成果证明了SnS2纳米片具有广泛的应用潜力，尤其是在短脉冲、高重复频率的光纤激光系统中，能够提供高效且稳定的光脉冲输出。 文章详细介绍了实验过程中对SnS2纳米片的制备方法，以及如何优化其在光纤激光器中的集成，以确保最佳的光调制性能。此外，还可能涉及对SnS2饱和吸收特性的测试，包括吸收谱分析、动态响应速度和饱和度等参数的研究，这些数据对于理解SnS2作为非线性光学元件的工作原理至关重要。 通过这项研究，科研人员不仅扩展了二维材料在光通信和量子光学领域的应用范围，也为设计新型高性能光纤激光器提供了新的思路。未来的研究可能聚焦于进一步提高SnS2纳米片的稳定性和一致性，以及探索其他二维材料在类似应用中的可能性，以期推动光纤激光技术的前沿发展。