英飞凌IPD35N12S3L-24汽车级OptiMOS™-TPower-Transistor规格书

"IPD35N12S3L-24是英飞凌公司生产的一款OptiMOS™-TPower-MOSFET功率晶体管，主要用于汽车应用。这款芯片是N沟道增强模式设计，符合汽车行业的AECQ101质量标准，并且在260°C峰值回流下具有MSL1的湿度敏感度等级。它可以在175°C的高温环境下正常工作，是一款符合RoHS标准的环保产品。此外，该芯片经过了100%的雪崩测试，确保其在恶劣条件下的可靠性。" 在规格书中，IPD35N12S3L-24的主要特性包括以下几点： 1. **连续漏电流（Continuous Drain Current）**: 在25°C时，VGS=10V条件下，最大连续漏电流为35A；而在100°C时，VGS=10V的条件下，此值降为25A。 2. **脉冲漏电流（Pulsed Drain Current）**: 在25°C下，芯片可承受的最大脉冲漏电流为140A。 3. **雪崩能量（Avalanche Energy, Single Pulse）**: 当ID=17A时，单脉冲雪崩能量为175mJ。 4. **雪崩电流（Avalanche Current, Single Pulse）**: 单脉冲雪崩电流的最大值为35A。 5. **栅源电压（Gate Source Voltage）**: 允许的最大栅源电压为±20V。 6. **总功率耗散（Power Dissipation）**: 在25°C时，最大功率耗散为71W。 7. **操作和储存温度范围（Operating and Storage Temperature）**: 工作温度范围从-55°C到175°C。 在电气参数方面： - **漏极-源极电压（VDS）**: 最大漏极-源极电压为120V。 - **最大漏极-源极导通电阻（RDS(on),max）**: RDS(on)的最大值为24mΩ，这意味着在低电压下，芯片能提供较低的导通电阻，从而降低功耗。 - **持续漏电流（ID）**: ID的最大值为35A，这是在特定条件下芯片可以持续通过的最大电流。 此外，IPD35N12S3L-24封装类型为PG-TO252-3-11，市场标识为3N12L24。热特性方面，芯片的结-壳热阻（RthJC）典型值未给出，而最小PCB安装下的结-空气热阻（RthJA）为62°C/W，这表明在散热设计中需要考虑有效的冷却措施。 IPD35N12S3L-24是一款高性能、高可靠性的汽车级MOSFET，适用于需要处理大电流并考虑高温环境工作的应用。其低的RDS(on)使得它在电源转换和电机控制等高效率应用中表现出色。