DDR2设计规范详解：终端电阻与等长处理关键

DDR2设计规范参考是一份针对DDR2 SDRAM（双倍数据速率二型同步动态随机存取存储器）的详细设计指南，主要关注于终端电阻处理、等长处理以及PCB布线等方面，以确保硬件工程师在实际项目中的正确应用。本文档以MT47H64M16HR-37E芯片为例，讲解了以下关键知识点： 1. **芯片选择**： 文档推荐使用MT47H64M16HR-37E型号的DDR2 SDRAM，它具有特定的引脚配置和性能规格。 2. **管脚分配**： - 数据线（DQ）：16条，占用一个FPGABANK。 - DQS（数据选通）：4条，同样占用一个BANK，并需要连接到CC_LC管脚。 - 地址线：13条，占用一个BANK。 - 控制线：11条，占用一个BANK。 - 时钟线（clk）：2条，占用一个BANK且需与CC_LC相连。 3. **电平转换**： DDR2信号应与FPGA的SSTL18_II电平兼容，使用DCI端接方式。例如，数据线、DQS信号通过22欧姆电阻与FPGA接口，而时钟、地址和控制信号通过47欧姆电阻上拉至VTT（0.9V）。 4. **PCB布线**： - 数据线、地址线、控制线的顺序依次连接，数据线（DQ、DQS和DM）在时钟的双沿操作。 - 遵循特定长度要求：数据线组内等长处理（<50mil），组间长度差不超过1000mil；DQS与CK之间的长度差异可放宽。 - 时钟线需等长处理且保持安全间距，差分对之间差值小于50mil，且相邻时钟信号CK之间的间距至少100mil。 - 地址/命令/控制信号线与时钟线源同步，走线长度匹配度不严格要求。 5. **供电**： - DDR2 SDRAM的工作电压为1.8V。 - MT47H64M16HR-37E芯片在典型条件下最大读电流IDD为350mA。 - 内存电流消耗会受容量、工作环境和速度的影响，需查阅相关数据手册以获取详细信息。 6. **终端电阻**： 所有的DQS信号必须连接到IO_LxN_CC_LC管脚，而时钟信号CK则是由FPGA提供给DDR2。 在进行DDR2设计时，遵循这些规范至关重要，以确保系统性能稳定，信号完整性良好，并符合制造商的推荐做法。同时，设计者还需结合实际PCB设计限制和散热需求，以优化整体设计。