无机纳米杂化聚酰亚胺电荷陷阱分布与耐电晕性能提升

本文主要探讨了"无机纳米杂化聚酰亚胺中电荷陷阱分布的测量"这一主题，发表于2010年的哈尔滨工程大学学报第31卷第5期。作者陈阳、杨春、周彦平和孙尧针对聚酰亚胺材料中纳米颗粒的作用进行了深入研究。他们采用了热激退极化电流方法来测量无机纳米杂化聚酰亚胺薄膜中的电荷陷阱分布。 实验结果显示，在约495K的温度下，聚酰亚胺样品表现出一个显著的热激电流峰，这表明存在大量的电荷陷阱。通过对实验数据的分析，他们估算出这些电荷陷阱的能级分布在0.45~0.75eV之间。对比分析了掺杂了二氧化硅(SiO2)和氧化铝(Al2O3)纳米颗粒的杂化聚酰亚胺样品与原始聚酰亚胺样品，发现无机纳米掺杂物的引入显著增加了材料中的电荷陷阱密度。这一发现对于理解无机纳米复合聚酰亚胺薄膜的耐电晕性能提升具有重要意义。 研究还发现，SiO2无机纳米复合聚酰亚胺的电荷陷阱能级密度高于Al2O3无机纳米复合聚酰亚胺，这表明在聚酰亚胺材料中，SiO2纳米颗粒相较于Al2O3更有效地诱导电荷陷阱的形成。这一结果对于优化纳米复合材料的设计，特别是在高电压应用中的绝缘性能方面提供了有价值的指导。 论文关键词包括空间电荷、电介质、纳米复合物和电荷陷阱，这些关键词突出了研究的核心内容和领域。通过这篇文章，读者可以了解到纳米颗粒如何影响聚酰亚胺材料的电性能，以及这对实际应用如抗电晕性能改进的重要性。整体而言，这篇论文为理解和控制纳米复合聚酰亚胺的电学特性提供了新的实验依据和技术路线。