AOD403-VB: 30V P沟道TO252封装MOSFET RoHS合规

AOD403-VB是一款P沟道TO252封装的MOSFET，由VBsemi公司提供。该器件具有以下关键特性： 1. **合规性**：AOD403-VB符合RoHS指令2002/95/EC的要求，表明其在生产和材料选择上遵循了严格的环保标准，尽管Pb（铅）含量的终端可能不完全符合RoHS规范，可能存在豁免情况。 2. **电气参数**： - **额定电压**：门极-源极电压（VGS）范围是±20V，确保了在设计时的安全操作。 - **连续电流**：在室温下（TC=25°C），最大连续漏极电流ID为-70A；当温度升高到125°C时，降为-58A。 - **脉冲电流**：允许的最大脉冲漏极电流IDM为-240A，而最大允许的反向雪崩电流IAR为-60A，重复性雪崩能量EAR在L=0.1mH的条件下为180mJ。 - **功率损耗**：功率损耗（PD）限制在一定范围内，以防止过热，具体数值未给出。 3. **温度范围**：AOD403-VB的工作结温范围从-55°C到175°C，存储温度范围同样如此，确保了设备在不同环境条件下的可靠性能。 4. **热阻**：提供了从结点到环境（RthJA）和结点到壳体（RthJC）的热阻值，这对于计算散热设计至关重要。 5. **开关特性**：在不同的栅极偏置电压下，如VGS=-10V时，RDS(on)为0.009Ω，而在VGS=-4.5V时为0.011Ω。这些数据对于评估器件在不同工作条件下的开关效率和功率损耗非常有用。 6. **封装与安装**：AOD403-VB采用TO-252封装，适合于PCB板上的安装，如1英寸的方形FR-4材料。同时提供了两种不同条件下的RDS(on)值，分别是PCB安装和自由空气散热条件下的典型表现。 7. **支持与服务**：产品附带AOD403-VB的数据手册，提供服务热线400-655-8788，以便用户获取更多信息或技术支持。 AOD403-VB是一款高性能、低功耗且符合RoHS标准的P沟道MOSFET，适用于各种需要高开关速度和耐高温的应用场合，且提供详细的电气规格和热性能数据，便于工程师在设计过程中参考和选型。