FQD7N10L-VB: 100V N沟道TO252封装高耐温MOSFET

本文档介绍了一款名为FQD7N10L-VB的N沟道TO252封装MOSFET，它属于TrenchFET® PowerMOSFET系列，具有高效率和可靠性的特性。以下是关于该器件的主要知识点： 1. **产品特性**： - **类型**: N-Channel MOSFET，额定电压高达100V（ Drain-Source Voltage, VDS），在VGS（Gate-Source Voltage）等于10V时，最大集电极电流可达0.1A。 - **性能优化**: 设计用于脉宽调制应用（PWMOptimized），并且通过了100% RgTested测试，确保了高可靠性。 - **环境合规性**: 符合RoHS指令2002/95/EC，表明其在制造过程中符合严格的环保标准。 2. **应用场景**： - **主要用途**: 适用于初级侧开关，即在电路中作为电源开关或负载控制的组件。 3. **产品概览**： - **电气参数**：在标准条件下（TA=25°C），最大连续集电极电流ID（125°C）为13A，而脉冲电流IDM在L=0.1mH时为40A。此外，单脉冲雪崩能量EAS为18mJ。 - **热性能**：允许的最大功率损耗PD（在25°C）为96W，具有良好的热阻RthJA（典型值15°C/W）和RthJC（0.85°C/W）以确保散热。 4. **温度范围**： - **操作温度**：工作结温TJ和存储温度Tstg的范围为-55°C到175°C。 - **存储条件**: 设备可以承受长时间的极端温度条件，但在10秒内不超过10℃的温升。 5. **封装**： - FQD7N10L-VB采用TO252封装，适合表面安装在1"x1" FR4板上。 FQD7N10L-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，特别适合在需要高可靠性和耐高温的电子设备中作为开关或电源管理元件使用。它的设计注重功率密度和效率，同时考虑了严格的环境法规和安全规范。对于电路设计师而言，了解这些关键参数是选择和应用此类器件时必不可少的信息。