理想VCO结构与相位噪声模型分析
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更新于2024-08-10
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"理想vCO结构-基于最小均方误差的多用户mimo下行预编码"
本文探讨了相位噪声在无线电通信系统中的重要性,特别是针对压控振荡器(VCO)的设计理论。VCO是锁相环(PLL)的关键组件,在无线通信接收机中起到至关重要的作用。相位噪声通常用SSCR(Single Sideband-to-Carrier Rate)来衡量,即单边带噪声谱密度与载波功率的比率,通常以dBc/Hz表示。理想情况下,VCO的相位噪声可以通过分析电阻的白噪声来计算,并且会受到谐振网络的影响,表现为-20dB/dec的斜率下降。
在第二章中,作者介绍了VCO的相位噪声模型,包括线性时不变(LTI)、非线性时不变(NTI)和线性时变(LTV)分析。Leon的LTI模型和Hajimiri的LTV模型被广泛应用。理想模型假设能量补偿电路无噪声,仅考虑VCO内部的电阻热噪声。然而,实际情况中,相位噪声还会受到其他噪声源的影响,例如有源器件的噪声、测试设备的限制以及电感和电容上的串联电阻等,这些因素会导致实际相位噪声与理想模型预测的值有显著差异。
文章还指出,实际VCO的相位噪声在不同频率范围内有不同的表现。在小偏移频率处,存在一个-30dB/dec的斜率下降,这被称为1/f区域。而在大偏移频率处,相位噪声可能会出现平坦区域,这可能是由振荡器与外部电路的交互、测试设备的限制或谐振网络滤波能力下降造成的。
标签“宽带 CMOS 锁相环 VCO”表明,讨论的内容与使用CMOS工艺设计的宽带VCO相关,特别是在锁相环系统中的应用。这部分内容可能涉及VCO的频率范围、噪声性能优化以及快速锁定技术。
部分内容提到了一篇硕士学位论文,该论文专注于宽带CMOS锁相环中的VCO设计。作者在导师指导下,使用0.18微米CMOS工艺设计了一个覆盖1.8GHz至3GHz频率范围的VCO。论文回顾了VCO的研究进展,明确了设计指标,并详细分析了设计过程和面临的挑战,旨在实现高性能射频通信系统。
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