微米 DDR2 SDRAM 芯片手册 - MT47H64M16HR

"MT47H64M16HR.pdf 是微米官方发布的DDR2 SDRAM芯片手册，适用于TI公司的DSP_TMS320C6455开发测试。该手册详细介绍了不同型号的DDR2 SDRAM芯片，如MT47H256M4、MT47H128M8和MT47H64M16，这些芯片分别具有32Megx4x8 banks、16Megx8x8 banks和8Megx16x8 banks的配置。" DDR2 SDRAM是一种双倍数据速率同步动态随机存取内存，它在时钟周期的上升沿和下降沿同时传输数据，从而提高了数据传输速率。MT47系列芯片工作电压为VDD=+1.8V±0.1V，VDDQ=+1.8V±0.1V，符合JEDEC标准1.8V I/O（SSTL_18兼容），确保了低功耗和高效率。 该手册特别指出，MT47H64M16芯片具有以下特性： 1. 差分数据 strobe (DQS, DQS#) 选项，提高信号完整性。 2. 4n位预取架构，提高数据处理速度。 3. 对于x8配置，提供了复用输出 strobe (RDQS) 选项。 4. 内置DLL（延迟锁相环）用于同步DQ和DQS的转换与时钟CK。 5. 8个内部银行支持并发操作，增强并行性。 6. 可编程的CAS延迟(CL)，允许用户根据系统需求调整。 7. POSTED CAS附加延迟(AL)进一步优化读写操作。 8. 写入延迟等于读取延迟减去一个时钟周期(tCK)。 9. 支持可选的突发长度(BL)：4或8，适应不同应用场景。 10. 可调数据输出驱动强度，以适应不同的系统环境。 11. 64毫秒，8192周期的刷新操作，保证数据稳定性。 12. 内置开路检测(ODT)，提高信号质量。 13. 提供工业温度范围(IT)选项，保证在恶劣环境下稳定工作。 14. 符合RoHS标准，无铅环保。 15. 遵循JEDEC时钟抖动规范，确保时序稳定性。 此外，手册还列出了不同封装选项，如： - x16配置的84-ball FBGA（8mmx12.5mm）铅免费封装，标记为HR（Rev.G, H）。 - x4, x8配置的60-ball FBGA（8mmx11.5mm）铅免费封装，标记为HQ（Rev.G）。 - x4, x8配置的60-ball FBGA（8mmx10mm）铅免费封装，标记为CF（Rev.H）。 - x16配置的84-ball FBGA（8mmx12.5mm）含铅封装。 这些详细信息对于设计使用TI DSP_TMS320C6455的系统开发者来说至关重要，他们可以依据这些参数来选择合适的DDR2 SDRAM芯片，并进行系统级的设计优化。