集成逻辑门电路详解：性能参数与开关时间

该资源主要涉及的是集成逻辑门的主要性能参数，特别关注了不同类型的集成逻辑门以及它们在电信系模电课程中的应用。主要内容包括数字集成电路的规模分类，如SSI、MSI、LSI、VLSI，以及双极型和单极型集成电路的区别。此外，还详细介绍了几种常见的逻辑门电路类型，包括双极型的DTL、TTL、ECL、I2L和单极型的NMOS、PMOS、CMOS。同时，讲解了由二极管和三极管构建的逻辑门电路，如二极管组成的与门、或门，以及基于BJT的非门电路。 在二极管组成的逻辑门部分，讨论了二极管的正向导通、反向截止及相关的动态参数，如存储时间、下降时间和反向恢复时间。对于三极管（BJT）构成的非门，阐述了BJT的开关特性，包括开通时间（ton）和关闭时间（toff），并指出提高BJT开关速度的关键是减少基区电荷建立和存储电荷消散的时间。进一步，展示了BJT开关电路的工作状态，如饱和导通和截止，并分析了BJT饱和与截止转换的时间参数。 接下来，资源深入解释了TTL反相器的基本电路结构，包括输入级、中间级和输出级。输入级采用T1和电阻Rb1以提升开关速度，中间级由T2、Rc2、Re2组成，输出级由T3、D、T4和Rc4构建的推拉式设计，以增强开关速度和负载驱动能力。此外，还探讨了TTL反相器的工作原理，包括其逻辑关系和性能改善措施，特别是在低电平时的工作行为。 这个电信系模电课件全面覆盖了集成逻辑门的基础知识，包括其分类、工作原理、性能参数和关键设计要素，为理解和应用这些基本逻辑组件提供了扎实的基础。