高性能SOT23封装P-Channel场效应MOS管CPH3305-TL-VB特性详解

CPH3305-TL-VB是一款采用SOT23封装的高性能P-Channel场效应MOS管，由VBSEM公司生产。这款器件的特点显著，设计用于在高电压隔离环境下工作，确保了可靠性和安全性。 SOT23封装使得该MOSFET具有紧凑的尺寸和良好的散热性能，特别适合于空间受限的应用场景。其P-Channel结构意味着它在栅极（G）与源极（S）之间的电压控制下导通，当VGS为正时，能够有效地将电流从源极流向漏极（D）。该器件的最大工作电压高达-60V，具有-5.2A的连续导通电流（RDS(ON)在VGS=10V时为40mΩ，在VGS=20V时更低）。 重要的是，这款MOSFET在高温环境下的操作能力很强，能在175°C的温度下稳定工作。动态dv/dt评级确保了在快速电压变化时的稳健性，而低热阻设计有助于保持芯片内部温度的管理。此外，它还符合RoHS标准，即限制了有害物质的使用，符合环保要求。 关于电荷存储能力，Qg(Max.)在VGS=-10V时可达到12nC，而Qgs和Qgd分别为3.8nC和5.1nC。在配置方面，它是单个MOSFET，带有S、G、D和P-Channel标识，适合于各种电路设计中的开关或驱动应用。 在电气参数上，最大集电极-源极电压（VDS）为-60V，而在-3V的条件下，持续的漏极电流（ID）可达-5.2A。脉冲条件下的最大允许电流（IDM）为21A，线性降额因子为每摄氏度0.18。单次脉冲雪崩能量（EAS）为120mJ，而重复雪崩电流（IAR）和能量（EAR）分别是-5.2A和2.7mJ。 功率参数方面，产品在25°C时的最大功率损耗（PD）为27W，这有助于防止过热，确保了长期稳定的工作性能。需要注意的是，某些极限参数如重复脉宽受限的峰值电流，其计算基于特定条件，如图11所示，起始结温TJ为25°C，其他参数见产品手册的详细图表和表格。 CPH3305-TL-VB是一款在高压、高效率和温度稳定性方面表现出色的P-Channel MOSFET，适用于对隔离、电流处理能力和功率消耗有较高要求的电子设备中。