2SJ327-Z-E1-AZ MOSFET详细参数与应用

"2SJ327-Z-E1-AZ是一款由VBsemi公司生产的P沟道MOSFET，采用TO252封装。这款MOSFET的主要参数包括：最大漏源电压（VDS）为-60V，低导通电阻（RDS(ON)）在10V栅极电压下为61mΩ，在4.5V栅极电压下为72mΩ，最大连续漏极电流（ID）在25°C时为-38A。此外，它具有-1.3V的阈值电压（Vth），并且适用于表面安装在1"x1"FR-4板上。" 2SJ327-Z-E1-AZ是一款P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），适用于开关负载等应用。它的主要特性包括采用了TrenchFET技术，这是一种先进的制造工艺，可以实现更低的导通电阻和更好的热性能。此外，该器件经过100%UIS测试，确保了其安全操作的可靠性。 在电气特性方面，MOSFET的最大栅极-源极电压（VGS）为±20V，这意味着栅极相对于源极的最大允许电压。在25°C时，最大连续漏极电流（ID）为-30A，而在100°C时则降低到-25A。脉冲漏极电流（IDM）和持续源极电流（IS）均限制在-20A，而雪崩电流（IAS）也为-20A，这表明了器件在短路或过载情况下的耐受能力。单脉冲雪崩能量（EAS）在L=0.1mH时为7.2mJ，表示了器件在雪崩条件下的耐久性。 在热性能方面，静态结-壳热阻（RthJC）典型值为5°C/W，最大值为6°C/W，这意味着当器件内部的热量传递到外壳时，每瓦功率会导致外壳温度升高这么多。而结-环境热阻（RthJA）在短暂时间内为20°C/W，稳态下为62至75°C/W，这决定了器件在不同散热条件下所能承受的最大功率。最大功率耗散（PD）在25°C时为34W，在特定环境下可达到4bW。 绝对最大额定值表明了在不损害器件的前提下，可施加在器件上的电压、电流和温度的极限。例如，工作和存储温度范围为-55°C至175°C。这些参数对于正确设计电路和确保器件的长期可靠性至关重要。 2SJ327-Z-E1-AZ是一款高性能的P沟道MOSFET，适合于需要低RDS(ON)、高电流处理能力和良好热管理的电源开关等应用。用户在使用时应遵循上述电气和热特性参数，以确保其正常和安全的操作。