FQD7P06-VB: 60V P沟道TO252封装高性能MOS管

FQD7P06-VB是一种高性能的P沟道TO252封装MOSFET，它属于Trench FET系列的功率MOSFET器件。该型号的特点在于其采用先进的沟槽场效应晶体管技术，旨在提供高效率和低导通电阻（RDS(on)）的开关性能。以下是该MOSFET的关键特性参数： 1. **电压规格**： - VDS（ Drain-Source Voltage）: 最大可达-60V，这意味着该MOSFET可以在-60伏特的电源电压下工作。 - VGS（ Gate-Source Voltage）: 允许的电压范围是±20V，确保了在控制信号的有效范围内进行开关操作。 2. **电流能力**： - ID（ Continuous Drain Current）: 在室温（25°C）下，连续导通电流为-30A，而在100°C高温环境下，这一值降为-25A。 - IDM（ Pulsed Drain Current）: 提供的是脉冲电流能力，对于短时间（如10秒内）下的峰值电流，数值未给出，但设计保证了足够的峰值处理能力。 - IS（ Continuous Source Current，Diode Conduction）: 源极电流持续能力为-20A。 - IAS（ Avalanche Current）: 能承受的雪崩电流也达到-20A，这在高压应用中保护器件免受过载。 3. **能量处理能力**： - EAS（ Single Pulse Avalanche Energy）: 当L=0.1mH时，单次脉冲雪崩能量为7.2mJ，这体现了设备对瞬态过压的防护性能。 4. **功率管理**： - PD（ Maximum Power Dissipation）: 在25°C环境温度下，最大功耗为34W，但在更高温度下，应遵循散热要求。 5. **温度范围**： - TJ（ Operating Junction Temperature）: 工作温度范围为-55°C至175°C。 - Tstg（ Storage Temperature Range）: 存储温度范围同样在-55°C至175°C之间。 - RthJA（ Junction-to-Ambient Thermal Resistance）: 短路状态下热阻典型值为20°C/W，最大值为25°C/W。 - RthJC（ Junction-to-Case Thermal Resistance）: 长期稳定状态下的热阻典型值为5°C/W，最大值为6°C/W。 6. **封装和安装**： - TO-252封装提供了良好的散热性能，适合于表面安装，可以安装在1"x1"的FR-4基板上。 7. **可靠性与认证**： - 100% UGST（Unintentional Ground State Turn-on）测试，保证了在非预期条件下不会误触发。 - 设计保证了可靠性和使用寿命，但具体使用寿命需参考产品手册中的SOA曲线。 FQD7P06-VB适用于各种需要高效率、低损耗和紧凑封装的应用，比如负载开关，用户在设计电路时需注意遵循制造商提供的安全操作规范和服务热线400-655-8788获取进一步的技术支持。