FKD00 100V 15A低压MOS管：高持续电流与低功耗绿色解决方案

本文档详细介绍了100V 15A的低压MOS管FKD00，这是一种用于开关电源、电机驱动和其他低电压电子设备中的功率半导体器件。以下是关于该MOS管的关键参数和技术特性： 1. **符号（Symbol）**：虽然未提供具体的符号，但通常MOS管的符号会展示一个带栅极（Gate）、源极（Drain）和漏极（Source）的三角形，代表其基本结构。 2. **参数**： - **VDS**（Drain-Source Voltage）: 最大允许的漏极-源极电压为100V，确保在正常工作条件下，电流不会超过安全阈值。 - **VGS**（Gate-Source Voltage）: 可控的栅极-源极电压范围是±20V，这意味着MOS管可以在这个电压范围内进行有效的开关控制。 - **ID（Continuous Drain Current）**： - 在标准温度25℃下，连续导通电流（在10V栅极电压时）为12A。 - 高温（100℃）下，连续导通电流降低到7.7A。 - 当环境温度较低（25℃）时，连续导通电流为3A；而在较高温度（70℃）下，为2.4A。 - **IDM**（Pulsed Drain Current）: 单次脉冲最大集电极电流可达24A，适用于短时间高功率应用。 - **EAS**（Single Pulse Avalanche Energy）: 单次脉冲雪崩能量为6.1mJ，这表示在过压情况下，MOS管能承受的能量限制。 - **IAS**（Avalanche Current）: 雪崩电流为11A，表示当超过额定电压时，MOS管可能进入非线性工作区。 - **PD（Total Power Dissipation）**: 不同温度下的最大功率损耗，25℃时为34.7W，而25℃环境下的瞬态功率损耗较低，为2W。 - **TSTG**（Storage Temperature Range）: 存储温度范围为-55℃至150℃，保证长期储存稳定性能。 - **TJ**（Operating Junction Temperature Range）: 运行时结温范围同样为-55℃至150℃。 3. **热性能参数**： - **RθJA**（Thermal Resistance Junction-ambient）: 表示结-环境热阻，典型值为---62℃/W，意味着每瓦特的热量散发至环境的温度上升大约62℃。 - **RθJC**（Thermal Resistance Junction-Case）: 结-封装热阻，典型值为---3.6℃/W，表示结温与封装间的热传递效率。 4. **技术特性**： - **BVDSS**（Breakdown Voltage Drain-Source）: 漏极击穿电压，未给出具体数值。 - **RDSON**（Reverse Drain-Source On-State Resistance）: 在开启状态（无漏极电流）的反向漏极-源极电阻，为85mΩ，反映其低阻抗特性。 - **SuperLow Gate Charge**：超低栅极充电，表明栅极驱动能力强，开关速度快。 - **Green Device Available**：绿色产品，可能符合节能和环保标准。 - **Excellent Cdv/dt effect decline**：优秀的dv/dt抗扰动能力，即对电压变化率有很好的响应和稳定性。 - **Advanced high cell density Trench technology**：采用先进的沟槽工艺，提高单元面积内的晶体管密度，实现更高的集成度和效率。 5. **产品概述**：FKD00是一款功能可靠的产品，满足RoHS（Restriction of Hazardous Substances）和绿色产品的要求，具有100%的ES（Essential Safety）保证。 总结来说，FKD00 100V 15A低压MOS管是一款适用于低电压应用的高性能、高效能和高可靠性的功率开关元件，特别适合于需要高效散热和快速开关的电路设计。