ONFI 4.0兼容MLC NAND Flash Memory规格表

"L06B_256Gb_512Gb_1Tb_datasheet" 是一个关于 NAND Flash 存储器的数据表，主要介绍了不同容量（256Gb、512Gb、1Tb）的 NAND Flash 芯片的规格和特性。 在 NAND Flash 存储技术中，MT29F系列芯片是常见的产品，如MT29F256G08CBCBB、MT29F512G08CECBB、MT29F512G08CFCBB等，它们属于 MLC（多层单元）类型，这意味着每个存储单元可以存储多个位，通常为2位，以提高存储密度和降低成本。 数据表中的关键特性包括： 1. **开放NAND闪存接口 (ONFI) 4.0兼容性**：ONFI是一个开放的接口标准，用于简化NAND Flash设备与系统之间的通信，提供高速、低延迟的数据传输，版本4.0意味着支持最新的协议和功能。 2. **JESD230B NAND Flash互操作性**：JESD230B是JEDEC固态技术协会制定的标准，确保不同供应商的NAND Flash设备能在相同的系统中无缝工作。 3. **组织结构**：页面大小为x8的18,592字节（其中16,384字节为主数据，2208字节为额外信息），块大小为1024页，每块大小为16,384K+2208K字节。存储器分为4个平面，每个平面有548个块，根据容量不同（256Gb、512Gb、1Tb），块的数量相应变化。 4. **NV-DDR2性能**：支持NV-DDR2时序模式8，时钟速率可达3.75ns，读写带宽达到533MT/s（兆传输每秒）。 5. **NV-DDR性能**：支持NV-DDR时序模式5，时钟速率为10ns，读写带宽为200MT/s。 6. **异步I/O性能**：支持异步时序模式5，最小的tRC/tWC（读写周期）为20ns，读写带宽为50MT/s。 7. **阵列性能**：单平面快速读取操作时间（EXPRESS READ）无/有VPP（可编程电源电压）时为64/61微秒，单平面读取页操作时间无/有VPP时为66/63微秒。多平面读取页操作时间也给出了相应数据，但未完全给出。 这些特性表明L06B系列芯片适用于需要高传输速度、大容量存储和低功耗的应用，如数据中心、固态硬盘（SSD）、移动设备等。通过高效的接口和优化的性能参数，这些NAND Flash解决方案能够满足现代存储系统对高速数据访问和可靠性的需求。