SOT23封装P-Channel场效应MOS管：高效率-5.6A开关应用

本文档介绍了一款名为CES2317-VB的场效应MOS管，具体型号为P-Channel SOT23封装。这款MOSFET属于TrenchFET® PowerMOSFET系列，具有高可靠性和高性能特点。以下是关于该产品的关键特性和技术规格： 1. 封装类型：SOT-23封装，适合表面安装在1英寸x1英寸FR4板上，节省空间且便于集成。 2. 参数规格： - 集成度：能在-30V的Drain-Source (D-S)电压下工作，最大持续导通电流ID为-5.6A（在25°C时）。 - RDS(ON)值：在VGS=10V时，典型值为47mΩ；随着VGS电压下降，RDS(ON)有所增加，例如在VGS=-10V时为0.046Ω，VGS=-6V时为0.049Ω。 - 压降特性：阈值电压Vth为-1V，表明该MOSFET为N沟道器件的反向版本。 - 高侧开关能力：适用于移动计算应用，如负载开关、笔记本适配器开关以及DC/DC转换器。 3. 安全限制： - 最大连续Drain-Source电压为-30V，门极-源极电压范围为±20V。 - 在不同温度条件下，有明确的电流限制，如-5.6A（25°C）、-5.1A（70°C）等。 - 短脉冲峰值电流IDM为-18A，持续源-漏二极管电流IS也有相应的限制。 - 功耗限制：在25°C下，最大功率损耗PD为2.5W，而在70°C下降低至1.6W。 4. 温度范围：该MOSFET的运行和储存温度范围广泛，从-55°C到150°C，确保了设备在各种环境下的稳定性能。 5. 热阻特性： - 提供了热阻典型值和最大值，用于计算组件内部热量传递，帮助用户了解散热设计的要求。 总结而言，CES2317-VB是一款专为移动计算应用设计的高性能P-Channel MOSFET，具有紧凑的SOT23封装和严格的热管理，确保了在不同条件下的可靠和高效工作。设计者和工程师在选择此型号时，应考虑其电流处理能力、电压等级和热性能参数，以便在实际应用中实现最佳性能和系统稳定性。