SOT23封装P-Channel场效应MOS管:高效率-5.6A开关应用
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更新于2024-08-03
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本文档介绍了一款名为CES2317-VB的场效应MOS管,具体型号为P-Channel SOT23封装。这款MOSFET属于TrenchFET® PowerMOSFET系列,具有高可靠性和高性能特点。以下是关于该产品的关键特性和技术规格:
1. 封装类型:SOT-23封装,适合表面安装在1英寸x1英寸FR4板上,节省空间且便于集成。
2. 参数规格:
- 集成度:能在-30V的Drain-Source (D-S)电压下工作,最大持续导通电流ID为-5.6A(在25°C时)。
- RDS(ON)值:在VGS=10V时,典型值为47mΩ;随着VGS电压下降,RDS(ON)有所增加,例如在VGS=-10V时为0.046Ω,VGS=-6V时为0.049Ω。
- 压降特性:阈值电压Vth为-1V,表明该MOSFET为N沟道器件的反向版本。
- 高侧开关能力:适用于移动计算应用,如负载开关、笔记本适配器开关以及DC/DC转换器。
3. 安全限制:
- 最大连续Drain-Source电压为-30V,门极-源极电压范围为±20V。
- 在不同温度条件下,有明确的电流限制,如-5.6A(25°C)、-5.1A(70°C)等。
- 短脉冲峰值电流IDM为-18A,持续源-漏二极管电流IS也有相应的限制。
- 功耗限制:在25°C下,最大功率损耗PD为2.5W,而在70°C下降低至1.6W。
4. 温度范围:该MOSFET的运行和储存温度范围广泛,从-55°C到150°C,确保了设备在各种环境下的稳定性能。
5. 热阻特性:
- 提供了热阻典型值和最大值,用于计算组件内部热量传递,帮助用户了解散热设计的要求。
总结而言,CES2317-VB是一款专为移动计算应用设计的高性能P-Channel MOSFET,具有紧凑的SOT23封装和严格的热管理,确保了在不同条件下的可靠和高效工作。设计者和工程师在选择此型号时,应考虑其电流处理能力、电压等级和热性能参数,以便在实际应用中实现最佳性能和系统稳定性。
2024-04-15 上传
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