英飞凌IPD025N06N MOSFET芯片中文规格说明书

"IPD025N06N INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书.pdf" 本文档是英飞凌科技公司（Infineon）的IPD025N06N MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的中文规格书。这款MOSFET属于OptiMOSTM系列，专为同步整流设计优化，并通过了100%雪崩测试，确保其在高应力条件下的可靠性。它具备出色的热阻性能，是一款正常电平的N沟道器件，适用于多种应用，并已按照JEDEC标准进行资格认证。 IPD025N06N的主要特性包括： 1. 优化同步整流：这表明该MOSFET适合用于高效率电源转换系统中的同步整流器，可以提高能效并减少发热。 2. 100%雪崩测试：这意味着该器件在设计阶段已经通过了严格的雪崩电流测试，保证了其在过电压情况下的稳定性。 3. 卓越的热阻性能：这使得MOSFET在高功率操作时能够有效地散热，降低了热失效的风险。 4. 正常电平N沟道：这种类型MOSFET在低栅极电压下就能开启，适合于需要快速开关的应用。 5. 符合JEDEC标准：产品已根据JEDEC的J-STD20和JESD22标准进行测试，保证了其在目标应用中的质量和可靠性。 6. 无铅和符合RoHS：该器件的引脚采用无铅镀层，符合欧盟的RoHS指令，不含卤素，符合IEC61249-2-21的要求，有利于环保。 关键性能参数如下： - VDS（漏源电压最大值）：60V - RDS(on)，max（最大导通电阻）：2.5mΩ，这是衡量MOSFET在完全导通状态下电阻的一个关键参数，低的RDS(on)意味着更低的导通损耗。 - ID（连续漏电流）：90A，表示MOSFET能持续通过的最大电流。 - QOSS（关断状态电荷）：81nC，开关过程中，从导通到截止状态转换时存储在MOSFET内部电荷的量。 - QG（栅极电荷）：71nC，在0V至10V的栅极电压范围内，从截止到导通状态所需的总电荷。 封装信息为D-PAK（Drain-Source-Power-Area-Kerf），引脚布局为：Drain（Pin2, Tab）、Gate（Pin1）和Source（Pin3）。订购代码为IPD025N06N，采用PG-TO252-3封装，标记为025N06N。 规格书还包含最大额定值、热特性、电气特性等详细信息，这些数据对于评估器件在特定电路中的适用性至关重要。设计者可以根据这些参数来决定该MOSFET是否满足其电路设计的需求。