AM2340NE-T1-PF-VB：SOT23封装N沟道MOSFET技术规格

"AM2340NE-T1-PF-VB是一种N沟道SOT23封装的MOS场效应管，适用于DC/DC转换器等应用。它是一款TrenchFET Power MOSFET，符合RoHS指令，并且是无卤素设计。该器件在特定条件下具有低的导通电阻和快速的开关性能。" AM2340NE-T1-PF-VB是一款N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），采用小型化的SOT23封装，这使得它适合在空间有限或需要高密度布线的电路中使用。这款MOSFET的主要特点包括： 1. **TrenchFET技术**：采用TrenchFET结构，这种技术通过在硅片上形成深沟槽来实现更高的密度和更低的导通电阻。这有助于提高效率并减少功耗。 2. **无卤素设计**：根据IEC61249-2-21标准定义，该器件不含卤素，符合环保要求，有利于实现绿色电子产品设计。 3. **100%Rg测试**：每个器件都经过了栅极电荷（Rg）测试，确保其电气性能的稳定性。 4. **RoHS合规性**：AM2340NE-T1-PF-VB符合RoHS指令2002/95/EC，意味着它不含欧盟禁止的特定有害物质。 在应用方面，这款MOSFET主要用于**DC/DC转换器**，在电源管理领域有广泛的应用，如电池供电设备、便携式电子设备、以及需要高效能电源转换的系统。 参数规格如下： - **导通电阻(RDS(on))**：在VGS=10V时，典型值为0.030Ω，而在VGS=4.5V时，典型值为0.033Ω。 - **额定连续漏源电流(ID)**：在不同温度下有不同的值，例如在25°C时为6.5A，在70°C时为6.0A。 - **栅极电荷(Qg)**：典型值为4.5nC，这决定了开关速度和开关损耗。 - **脉冲漏源电流(IDM)**：最大值为25A，表明器件在短时间内能承受的峰值电流。 - **连续源漏二极管电流(IS)**：在25°C时，最大值为1.4A，但表面安装在1"x1"FR4板上时，这一数值会降低。 - **最大功率耗散(PD)**：25°C时为1.7W，而70°C时为1.1W。 此外，该器件的工作和存储温度范围为-55至150°C，推荐的焊接峰值温度为260°C。热阻抗数据提供了关于器件在不同条件下的散热能力的指标，这对于评估器件在实际应用中的热行为至关重要。 AM2340NE-T1-PF-VB因其小巧的封装、高效的性能和环保特性，成为电子设计者在DC/DC转换器和其他电源管理应用中的一种理想选择。