英飞凌650V CoolSiC MOSFET IMBG65R260M1H技术规格

"IMBG65R260M1H是英飞凌（INFINEON）公司的一款650V CoolSiC MOSFET芯片，该芯片基于英飞凌超过20年的硅碳化硅技术研发，利用宽能隙SiC材料特性，提供卓越的性能、可靠性和易用性。这款MOSFET适用于高温和恶劣环境操作，可简化系统设计，实现高效低成本的部署。" 英飞凌IMBG650R260M1H是一款专为高电压应用设计的SiC（硅碳化硅）沟槽MOSFET，其主要特点包括： 1. **优化的开关性能**：在高电流情况下，该芯片表现出优秀的开关特性，减少了开关损耗，提高了系统的转换效率。 2. **耐用的快速体二极管**：内置的体二极管具有低正向恢复电荷（Qf），在电路切换时提供了更平滑的电流过渡，增强了系统的稳定性。 3. **优越的栅极氧化层可靠性**：该芯片的栅极氧化层经过优化，能承受更高的电气应力，确保了长期工作中的稳定性能。 4. **高温耐受与出色的热性能**：最大结温（Tj,max）达到175°C，这使得芯片能在高温环境下正常工作，并且其热行为优秀，有利于散热设计。 5. **低温度依赖的RDS(on)**：随着温度变化，RDS(on)（漏源导通电阻）的变化较小，这意味着在不同温度下，芯片的传导损耗更稳定。 6. **增强的雪崩能力**：IMBG650R260M1H具有更强的雪崩耐受能力，增强了过载条件下的设备安全性。 7. **兼容标准驱动器**：该MOSFET可以与标准的驱动器兼容，推荐的驱动电压范围为0V至18V，这简化了驱动电路的设计。 8. ** kelvin源引脚**：提供kelvin源引脚，以减小栅极到源极的电压降，提高控制精度。 这款MOSFET适用于需要高效率和高可靠性的应用，如光伏逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动、电源转换系统等。通过利用SiC技术，IMBG650R260M1H可以显著降低系统损耗，提高整体能效，同时降低系统成本。