DMN6040SSD-VB:SOP8封装双通道60V N-Channel MOSFET

PDF格式 | 210KB | 更新于2024-08-03 | 144 浏览量 | 0 下载量 举报
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"DMN6040SSD-VB是一款采用SOP8封装的双N-Channel场效应MOS管,适用于电源管理、开关应用等领域。其主要特性包括TrenchFET技术、100%Rg和UIS测试,以及低导通电阻和快速开关性能。" DMN6040SSD-VB是VB Semiconductor公司生产的双通道N沟道 MOSFET,设计用于高压、中电流应用。这款器件的核心特点是采用了TrenchFET技术,这是一种先进的沟槽结构,可以显著降低导通电阻,提高效率,同时减小芯片尺寸。TrenchFET技术使得MOSFET在保持高开关速度的同时,还能降低功耗。 该MOSFET的主要电气参数包括: 1. **额定电压** (VDS):60V,这意味着每个MOSFET管脚能承受的最大电压为60V,确保了在高电压环境下工作的稳定性。 2. **导通电阻** (RDS(on)):在VGS=10V时,RDS(on)为27mΩ,这代表当栅极电压达到10V时,源极到漏极的电阻非常低,适合用作低阻抗开关。 3. **阈值电压** (Vth):1.5V,这是使MOSFET开始导通所需的最小栅极电压。 4. **连续漏电流** (ID):每个通道在25°C时可处理的最大连续电流为7A,而在125°C时则降为4A,表明其具有良好的热管理能力。 5. **脉冲电流** (IDM):单脉冲最大脉冲电流为28A,适用于短时间高电流脉冲应用。 此外,DMN6040SSD-VB还经过了100%的Rg(栅极电阻)和UIS(雪崩能量耐受)测试,确保了器件的可靠性和安全性。在封装形式上,它采用SOP8封装,这种紧凑的封装方式适合于空间有限的应用场合。 在热特性方面,器件的结壳热阻(RthJC)是11°C/W,意味着每增加1W的功率损耗,器件的结温将上升11°C。这一参数对于评估MOSFET在大功率应用中的散热性能至关重要。在实际使用中,应确保适当的散热措施,以防止过热影响MOSFET的寿命和性能。 DMN6040SSD-VB是一款高性能、高可靠性且易于集成的双通道N沟道MOSFET,适用于需要高效能开关功能和良好热管理的电子设备,如电源转换器、电机驱动电路、电池管理系统等。

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