4565SS-VB：N+P沟道SOP8 MOSFET详解：参数、应用与规格

4565SS-VB是一款由VBSEM制造的N+P双通道沟道SOP8封装的MOSFET晶体管。这款器件具有环保特性，符合IEC 61249-2-21标准，采用Trench FET®技术，确保了高阻抗(Rg)和低UIST（输入电容）。它符合RoHS指令2002/95/EC，适用于电机驱动领域。 该器件的特点包括： 1. **无卤素设计**：按照IEC 61249-2-21标准制造，减少对环境的影响。 2. **沟道类型**：提供N-Channel和P-Channel两种沟道选项，分别支持正向和反向导通。 3. **电压规格**： - N-Channel：最大Drain-Source Voltage (DS)为±40V，典型Gate-Source Voltage (GS)范围在-10V至+20V。 - P-Channel：同样为±40V，但在-4.5V的VGS下，其典型值为-0.022A。 4. **电流特性**： - ID（连续漏极电流）：N-Channel在25°C时最大可达7.6A，70°C时降为5.6A（或根据注解限制）；P-Channel相应地为-6.8A。 - 高脉冲电流：Pulsed Drain Current (DM) 和 Pulsed Source-Drain Current (SM) 在10us脉宽下分别为30A和30A。 - 单次脉冲雪崩电流（Avalanche Current）：AS在0.1mH电感下，N-Channel和P-Channel分别为20A和-20A。 5. **温度参数**： - 连续工作温度：在25°C下，N-Channel的最大稳态条件为120°C/W，P-Channel为110°C/W。 - 温度依赖性：许多电流规格都基于25°C，如Qg(Typ.)随VGS变化时在10V和-10V下的值。 4565SS-VB在电机驱动中的应用广泛，特别适合于那些需要高效率、低损耗以及紧凑封装的电路设计。由于其出色的电气性能和环保特性，它适合用于各种高电压、大电流的开关应用，尤其是在工业自动化和电子设备中。在使用时，请确保遵循产品手册中的极限参数，并注意散热需求，以保持器件在安全的工作范围内。