英飞凌SIGC08T65E IGBT芯片中文规格手册：650V技术与特性概览

本文档是英飞凌（INFINEON）生产的SIGC08T65E IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片的规格书手册，采用了TRENCHSTOP™技术，针对工业功率控制应用设计。这款芯片具有显著的特点： 1. 技术基础: SIGC08T65E采用了650V的沟槽与场停止技术，这是一种高电压等级的解决方案，能够处理较高的电压需求，确保在电力转换中的稳定性。 2. 电气特性: - 低VCEsat：它具有低饱和压降，这意味着在开关状态时，芯片的功耗更低，有助于提高效率。 - 低关断损耗：由于优化的设计，这款芯片在关闭状态下的能量损失较小，有利于减少发热和提高能源利用率。 - 短尾电流：这有助于减少电路中的额外损耗，提升系统响应速度和可靠性。 - 正温度系数：意味着其性能随温度上升而略微增强，有助于在不同环境条件下保持稳定的性能。 3. 推荐应用场景: SIGC08T65E特别适合于功率模块的制造，对于驱动应用非常合适。由于其紧凑的封装尺寸（2.86mm x 2.82mm），可以方便地进行多芯片并联，以构建更大的功率输出。 4. 物理参数: - 芯片尺寸：单个芯片的面积为2.86mm x 2.82mm，包括一个大型的发射极垫，以及0.361mm x 0.513mm的门极垫。 - 机械特性：使用锯齿形非箔基底，硅片厚度为70微米，适合大规模200mm晶圆生产，每片晶圆理论上最多可包含3449个芯片。 - 表面处理：正面采用照片固化聚合物作为钝化层，背面金属层由镍银系统构成，以确保可靠的焊接连接。 5. 版本更新: 这份规格书是Rev.2.1，发布日期为2017年1月25日，包含了可能的修订历史和相关的应用笔记，以供用户参考。 6. 法律免责声明: 手册末尾通常会列出法律声明，可能涉及版权、安全警告以及制造商对于产品使用和责任的限制。 SIGC08T65E IGBT芯片是一款高性能、高可靠性的电力开关组件，适合于各种工业级驱动应用，它的技术特性、尺寸规格和制造过程都经过精心设计，以满足现代工业设备对高效能、低损耗和小型化的追求。