P沟道20V MOSFET WPM2341-3/TR-VB:参数解析与应用指南
199 浏览量
更新于2024-08-03
收藏 527KB PDF 举报
"WPM2341-3/TR-VB-MOSFET是一款P沟道MOSFET,适用于各种电子应用。它具有低RDS(ON)特性,以优化电源效率,包括57mΩ(在4.5V栅极电压下)和83mΩ(在2.5V栅极电压下)。该器件的最大漏源电压VDS为-20V,最大连续漏电流ID在不同温度下有所不同。此外,其门极阈值电压Vth为-0.81V,封装形式为SOT23。"
WPM2341-3/TR MOSFET是一款P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管,设计用于在-20V的漏源电压下工作。这款MOSFET的亮点之一是它的低导通电阻RDS(ON),在VGS=-4.5V时,RDS(ON)为57毫欧,而在VGS=-2.5V时,RDS(ON)为83毫欧,这有利于降低开关损耗和提高系统效率。门极阈值电压Vth为-0.81V,确保了良好的开关性能。
这款MOSFET的电气特性还包括:
- Qg(总栅极电荷)在-5V栅极电压下典型值为10nC,这直接影响开关速度。
- 在25°C下,基于1"x1"FR4板的表面安装,最大结到壳热阻RthJA为75°C/W,这决定了器件能处理的最大功率和散热能力。
- 持续漏电流ID随温度变化,在25°C时最大为-4.5A,而70°C时为-3.5A。
- 功耗限制在25°C时为2.5W,70°C时为1.6W,但这些数值可能因封装限制而减小。
MOSFET的绝对最大额定值包括:
- 最大漏源电压VDS为-20V。
- 栅极源电压VGS的范围在±12V内。
- 在特定条件下,脉冲漏电流IDM可达-18A,而连续源漏二极管电流IS为-2.1A(25°C)和-1.0A(25°C,表面安装条件下)。
- 结合温度范围为-55°C至150°C。
这款MOSFET符合无卤素标准IEC61249-2-21,适合环保要求高的应用。其小型SOT23封装使其适用于空间有限的电路设计,同时提供了良好的热性能。
总体而言,WPM2341-3/TR MOSFET适用于需要高效、低功耗和紧凑尺寸的电源管理、逻辑切换以及其他需要高性能P沟道MOSFET的电子应用。
2023-11-07 上传
2023-10-14 上传
2024-01-04 上传
2023-06-26 上传
2023-08-08 上传
2024-07-24 上传
2023-05-30 上传
2024-05-10 上传
2024-09-20 上传
微碧VBsemi
- 粉丝: 7446
- 资源: 2466
最新资源
- 掌握Jive for Android SDK:示例应用的使用指南
- Python中的贝叶斯建模与概率编程指南
- 自动化NBA球员统计分析与电子邮件报告工具
- 下载安卓购物经理带源代码完整项目
- 图片压缩包中的内容解密
- C++基础教程视频-数据类型与运算符详解
- 探索Java中的曼德布罗图形绘制
- VTK9.3.0 64位SDK包发布,图像处理开发利器
- 自导向运载平台的行业设计方案解读
- 自定义 Datadog 代理检查:Python 实现与应用
- 基于Python实现的商品推荐系统源码与项目说明
- PMing繁体版字体下载,设计师必备素材
- 软件工程餐厅项目存储库:Java语言实践
- 康佳LED55R6000U电视机固件升级指南
- Sublime Text状态栏插件:ShowOpenFiles功能详解
- 一站式部署thinksns社交系统,小白轻松上手