P沟道20V MOSFET WPM2341-3/TR-VB：参数解析与应用指南

"WPM2341-3/TR-VB-MOSFET是一款P沟道MOSFET，适用于各种电子应用。它具有低RDS(ON)特性，以优化电源效率，包括57mΩ（在4.5V栅极电压下）和83mΩ（在2.5V栅极电压下）。该器件的最大漏源电压VDS为-20V，最大连续漏电流ID在不同温度下有所不同。此外，其门极阈值电压Vth为-0.81V，封装形式为SOT23。" WPM2341-3/TR MOSFET是一款P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，设计用于在-20V的漏源电压下工作。这款MOSFET的亮点之一是它的低导通电阻RDS(ON)，在VGS=-4.5V时，RDS(ON)为57毫欧，而在VGS=-2.5V时，RDS(ON)为83毫欧，这有利于降低开关损耗和提高系统效率。门极阈值电压Vth为-0.81V，确保了良好的开关性能。 这款MOSFET的电气特性还包括： - Qg（总栅极电荷）在-5V栅极电压下典型值为10nC，这直接影响开关速度。 - 在25°C下，基于1"x1"FR4板的表面安装，最大结到壳热阻RthJA为75°C/W，这决定了器件能处理的最大功率和散热能力。 - 持续漏电流ID随温度变化，在25°C时最大为-4.5A，而70°C时为-3.5A。 - 功耗限制在25°C时为2.5W，70°C时为1.6W，但这些数值可能因封装限制而减小。 MOSFET的绝对最大额定值包括： - 最大漏源电压VDS为-20V。 - 栅极源电压VGS的范围在±12V内。 - 在特定条件下，脉冲漏电流IDM可达-18A，而连续源漏二极管电流IS为-2.1A（25°C）和-1.0A（25°C，表面安装条件下）。 - 结合温度范围为-55°C至150°C。 这款MOSFET符合无卤素标准IEC61249-2-21，适合环保要求高的应用。其小型SOT23封装使其适用于空间有限的电路设计，同时提供了良好的热性能。 总体而言，WPM2341-3/TR MOSFET适用于需要高效、低功耗和紧凑尺寸的电源管理、逻辑切换以及其他需要高性能P沟道MOSFET的电子应用。