Hi3559V100芯片复位与FLASH选型优化

"复位器件选型-蓄电池充放电装置中双向ac/dc变流器的研究" 在复位器件选型方面，Hi3559V100 芯片提供了两种复位方式：片内POR（Power-On Reset）和片外POR。片内POR复位具有64毫秒的复位时间，但不支持外部按键复位，这可能会限制系统的某些功能。相比之下，片外POR复位时间可以在30毫秒到500毫秒之间，但选择这种复位方式会导致单板面积增大和成本增加。为了确保系统复位的安全性，建议复位时间不少于30毫秒。TI和ST等公司提供了满足至少32毫秒复位时间的外部POR器件，如HI3559V100DMEB单板就采用了外部POR，其复位时间约为210毫秒，因此在进行快速启动性能测试时需特别注意。 在FLASH器件选型上，不同类型的FLASH会影响系统的启动速度。SPI Nor 2I/O模式的Flash具有16MB/S的参考读速率，其优点是只需要8Pin接口。在选择Flash时，需要考虑启动速度和使用的便利性，同时参考表2-1中的特性及使用限制进行选择。优化Flash器件可以显著提升系统的启动效率。 Hi3559V100/Hi3556V100快速启动的优化指南强调了如何提高芯片的启动性能。该文档适用于软件开发者，旨在帮助他们理解快速启动方案的基本原理、实施步骤以及注意事项。文档指出，优化方案仅供参考，具体应用时应根据产品需求进行选择并进行充分验证，因为优化可能带来的风险需自行承担。此外，文档还提到了不同版本的产品信息和修订记录，确保用户获取最新的技术信息。 在产品版本管理上，Hi3559V100和Hi3556V100对应的版本为R003，而文档本身也经历了多次修订，以确保内容的准确性和完整性。例如，00B02版本增加了Hi3556V100的相关内容。 复位器件和Flash器件的选型对于系统性能至关重要，尤其是对于需要快速启动的设备。Hi3559V100系列芯片的优化指南提供了宝贵的参考，帮助开发者实现更高效、更稳定的系统运行。