74HC244：8位三态缓冲器/线路驱动器
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更新于2024-07-22
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"74HC244 是一款8位同相三态缓冲器/线路驱动器，常用于增强驱动电流，例如在单片机输出不足以驱动数码管时，可以借助74HC244来提升亮度。该器件具备两个4位缓冲器或一个8位缓冲器的功能，并配有独立的1OE和2OE输出使能控制，每个控制四个三态输出。当nOE端口为高电平时，输出进入高阻态，关闭输出。此外，输入端包含钳位二极管，允许通过限流电阻连接到超过VCC的电压，确保设备安全。74HC244适用于CMOS电平，而74HCT244适用于TTL电平，两者都符合JEDEC标准，具有ESD保护，并提供多种封装选择，工作温度范围宽泛。"
74HC244和74HCT244的主要特性与优势包括：
1. 输入电平兼容性：74HC244适用于CMOS逻辑电平，而74HCT244则适用于TTL逻辑电平，这使得它们可以在不同类型的电路系统中灵活应用。
2. 八位总线接口：这两个芯片都能作为八位缓冲器或两组四位缓冲器使用，适应各种数据传输需求。
3. 非反相三态输出：输出端口在未启用时呈现高阻态，不会影响其他电路，可以有效管理多个设备对同一线路的访问。
4. ESD保护：提供超过2000V的HBM JESD22-A114F和超过200V的MMJ JESD22-A115-A静电放电保护，提高了芯片的抗干扰能力。
5. 温度范围广泛：两者都可在-40°C至+125°C的温度范围内工作，适应不同的环境条件。
6. 包装选项多样：如DIP20（双列直插式封装，20引脚）和SOT146-1等，满足不同设计需求。
订购74HC244或74HCT244时，需要注意型号、封装类型以及温度范围，例如74HC244N是塑料双列直插式封装，工作温度范围为-40°C至+125°C，而74HCT244N则有相同的工作温度范围。
74HC244和74HCT244是电子设计中用于增强信号驱动能力和实现总线接口的常见集成电路，其功能强大，适用范围广泛，且具备良好的兼容性和可靠性。
74HC_HCT244 All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © NXP B.V. 2012. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 4 — 24 September 2012 4 of 18
NXP Semiconductors
74HC244; 74HCT244
Octal buffer/line driver; 3-state
6. Functional description
[1] H = HIGH voltage level; L = LOW voltage level; X = don’t care; Z = high-impedance OFF-state.
7. Limiting values
[1] For DIP20 package: P
tot
derates linearly with 12 mW/K above 70 C.
[2] For SO20 packages: P
tot
derates linearly with 8 mW/K above 70 C.
For SSOP20 and TSSOP20 packages: P
tot
derates linearly with 5.5 mW/K above 60 C.
For DHVQFN20 packages: above 60 C, P
tot
derates linearly with 4.5 mW/K.
8. Recommended operating conditions
Table 3. Function table
[1]
Input Output
nOE nAn nYn
LLL
LHH
HXZ
Table 4. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134). Voltages are referenced to GND (ground = 0 V).
Symbol Parameter Conditions Min Max Unit
V
CC
supply voltage 0.5 +7 V
I
IK
input clamping current V
I
< 0.5 V or V
I
>V
CC
+0.5 V - 20 mA
I
OK
output clamping current V
O
< 0.5 V or V
O
>V
CC
+0.5V - 20 mA
I
O
output current 0.5 V < V
O
< V
CC
+0.5V - 35 mA
I
CC
supply current - 70 mA
I
GND
ground current 70 - mA
T
stg
storage temperature 65 +150 C
P
tot
total power dissipation DIP20 package
[1]
- 750 mW
SO20, SSOP20, TSSOP20 and
DHVQFN20 packages
[2]
- 500 mW
Table 5. Recommended operating conditions
Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit
74HC244
V
CC
supply voltage 2.0 5.0 6.0 V
V
I
input voltage 0 - V
CC
V
V
O
output voltage 0 - V
CC
V
t/V input transition rise and fall rate V
CC
= 2.0 V - - 625 ns/V
V
CC
= 4.5 V - 1.67 139 ns/V
V
CC
= 6.0 V - - 83 ns/V
T
amb
ambient temperature 40 - +125 C
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